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Transistor FQA36N15 Mosfet Potencia CH-N 150 V 36 A

Transistor FQA36N15 Mosfet Potencia CH-N 150 V 36 A

TRAFQA36N15

$ 39.00 MXN

Precio Regular: $ 50.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor FQA36N15 de efecto de campo de potencia en modo de canal N se producen utilizando tecnología DMOS, banda plana patentada de Fairchild. Esta tecnología avanzada ha sido especialmente diseñada para minimizar la resistencia en el estado, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar pulsos de alta energía en modo de conmutación y conmutación. Estos dispositivos están bien equipados para aplicaciones de bajo voltaje, como amplificadores de audio, convertidores de CC / CC de conmutación de alta eficiencia y control de motor de CC.


  • Cambio rápido
  • Avalancha probado al 100%
  • Capacidad dv / dt mejorada
  • Aplicaciones: Fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia, corrección activa del factor de potencia, fuentes de lámparas  basado en la topología de medio puente

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 150 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ± 30 V
  • Corriente continua de drenaje Id: 36 A
  • Corriente de drenaje pulsada: 144 A
  • Disipación de potencia (Tc=25°C): 294 W
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-3P
  • Número de pines: 3

Sustituto

No Aplica

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