Inicio » Semiconductores
» Transistor FQD18N20V2TM Mosfet Pequeña Señal CH-N 80 V 12.9 A
Transistor FQD18N20V2TM Mosfet Pequeña Señal CH-N 80 V 12.9 A

Transistor FQD18N20V2TM Mosfet Pequeña Señal CH-N 80 V 12.9 A

TRAFQD18N20V2TM

$ 55.00 MXN

Precio Regular: $ 85.00
Precio incluye IVA

Descripción

Transistor FQD18N20V2TM Mosfet de canal N cuenta con tecnología de banda de planos y tecnología DMOS de Fairchild Semiconductor. Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en el estado, y para proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta resistencia energética de avalanchas.Estos dispositivos son adecuados para fuentes de alimentación de modo conmutado, corrección de factor de potencia activa (PFC) y balastos de lámparas electrónicas.

  • Carga de compuerta baja (Typ. 20 nC)
  • Crss bajo (Typ. 45 pF)
  • Avalancha probado al 100%
  • Aplicaciones: Aptos para fuentes de alimentación de modo conmutado, corrección de factor de potencia activa (PFC) y balastos de lámparas electrónicas.

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 80 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
    • Corriente de drenaje Id:  12.9 A
    • Corriente de drenaje pulsada: 51.6 A
    • Disipación de potencia (Tc=25°C): 40 W
    • Resistencia de activación RDS(ON): 0.100 Ohm
    • Temperatura de funcionamiento mínima: -55 °C
    • Temperatura de funcionamiento máxima: 150 °C
    • Encapsulado: D-PAK
    • Número de pines: 3
    • Modelo: 15R4036

    Sustituto

    Sin aplicar

    Documentación

    Datasheet

    Productos Relacionados

    Comentarios