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Transistor FQP10N60C Mosfet TO220 CH-N 600 V 9.5 A

Transistor FQP10N60C Mosfet TO220 CH-N 600 V 9.5 A

TRAFQP10N60C

$ 29.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet FQP10N60C Tipo "T" de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
El mosfet FQP10N60C  ha sido especialmente adaptado para plicaciones donde se necesite estados mínimos de resistencia,   conmutación superior y donde se requiera soportar el pulso de alta energía de avalancha y modo de conmutación. Este dispositivo es muy adecuado para fuentes de alimentación conmutadas, aplicaciones de factor de potencia activo y corrección, balastras o fuentes electrónicos basado en la topología de medio puente.

  • 9.5 A, 600 V, RDS (encendido)  = 0.73Ω  @VGS  = 10 V
  • Carga de puerta baja (44 nC típico)
  • Crs baja (típica 18 pF)
  • Cambio rápido
  • Avalancha probado al 100%
  • Mejora de la capacidad dv / dt
  • Aplicaciones: Aptos para fuentes de alimentación de modo conmutado, corrección de factor de potencia activa (PFC) y balastos de lámparas electrónicas

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ± 30 V
    • Corriente de drenaje ID:  9.5 A
    • Corriente de drenaje pulsada: 38 A
    • Corriente de avalancha: 9.5 A
    • Disipación de potencia (Tc=25°C): 156 W
    • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.6 Ω
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-220
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    2SK4086LS   FQP12N60    TK10A60D   FQP12N60

    Documentación

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