Inicio

Semiconductores

Transistor IRF3415PBF Mosfet TO220 CH-N 150 V 43 A
Transistor IRF3415PBF Mosfet TO220 CH-N 150 V 43 ASKU: TRAIRF3415

$ 75.00

Descripción Transistor mosfet IRF3415PBF Tipo  de potencia de N-canal único de quinta generación de HEXFET® utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia ON extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un funcionamiento extremadamente...

Transistor IRF3710 Mosfet TO220 CH-N 100 V 57 A
Transistor IRF3710 Mosfet TO220 CH-N 100 V 57 ASKU: TRAIRF3710

$ 46.00

Descripción El IRF3710 de International Rectifier es un MOSFET de potencia HEXFET de canal único N de 100V en encapsulado TO-220. Este MOSFET tiene una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dv/dt dinámica, conmutación rápida y resistente y, como resultado, una calificación de avalancha total, los MOSFET de...

Transistor IRF4104 Mosfet TO220 CH-N 40 V 75 A
Transistor IRF4104 Mosfet TO220 CH-N 40 V 75 ASKU: TRAIRF4104

$ 56.00

Descripción El transistor  IRF4104  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRF640 es un mosfet de  potencia que...

Transistor IRF460 Mosfet Potencia CH-N 500 V 21 A
Transistor IRF460 Mosfet Potencia CH-N 500 V 21 ASKU: TRAIRF460

$ 97.00

Descripción Transistor mosfet IRF460 de potencia, hexfet que es una tecnología de la línea de rectificador avanzado de transistores MOSFET de potencia con una geometría eficiente y procesamiento único en el  diseño "Estado de la técnica" que logra: resistencia muy baja en el estado combinada con una alta transconductancia; Superior...

Transistor IRF4905 Mosfet TO-220 CH-P 55 V 74 A
Transistor IRF4905 Mosfet TO-220 CH-P 55 V 74 ASKU: TRAIRF4905

$ 12.00

Descripción El IRF4905PBF de International Rectifier es un MOSFET de potencia HEXFET de canal P de -55 V en el paquete TO-220AB. Este MOSFET tiene una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dv / dt dinámica, conmutación rápida y resistente y, como resultado, una calificación de avalancha total,...

Transistor IRF510PBF Mosfet TO220 CH-N 100 V 5.6 A
Transistor IRF510PBF Mosfet TO220 CH-N 100 V 5.6 ASKU: TRAIRF510

$ 36.00

Descripción El IRF510PBF es un MOSFET de potencia de canal N de tercera generación de International Rectifier es un MOSFET de potencia HEXFET de canal P de -55 V en el paquete TO-220AB. Este MOSFET tiene una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dv / dt dinámica, conmutación...

Transistor IRF520PBF Mosfet TO220 CH-N 100 V 9.2 A
Transistor IRF520PBF Mosfet TO220 CH-N 100 V 9.2 ASKU: TRAIRF520

$ 12.00

Descripción Transistor mosfet IRF520 de poder que proporciona al diseñador  la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño de dispositivos para uso rudo, baja resistencia y costo-efectividad. La resistencia térmica baja contribuye a su amplia aceptación en la industria.  El IRF520 es un MOSFET de potencia de canal N de...

Transistor IRF5210L Mosfet Media Potencia CH-P 100 V 40 A
Transistor IRF5210L Mosfet Media Potencia CH-P 100 V 40 ASKU: TRAIRF5210L

$ 45.00

Descripción Transistor mosfet IRF5210L  HEXFET de quinta generación de International Rectifier que utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr  resistencia extremadamente baja en la conexión por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado que son bien conocidos por, proporcionan...

Transistor IRF530NPBF Mosfet TO220 CH-N 100 V 17 A
Transistor IRF530NPBF Mosfet TO220 CH-N 100 V 17 ASKU: TRAIRF530

$ 12.00

Descripción Transistor mosfet IRF530NPBF de canal N que ofrece la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño de este dispositivos esta echo para uso rudo, baja resistencia y costo-efectividad.   Área de operación segura extendida Corriente de fuga más baja (10A máximo en VDS = 100V) Baja RDS (ON) (0,092Ω...

Transistor IRF540N Mosfet TO220 CH-N 100 V 28 A
Transistor IRF540N Mosfet TO220 CH-N 100 V 28 ASKU: TRAIRF540N

$ 19.00

Descripción El IRF540N  de International Rectifier es un MOSFET de potencia HEXFET de canal único N de 100V en encapsulado TO-220. Este MOSFET tiene una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dv/dt dinámica, conmutación rápida y resistente y, como resultado, una calificación de avalancha total, los MOSFET de...

Transistor IRF610PBF Mosfet TO220 CH-N 200 V 3.3 A
Transistor IRF610PBF Mosfet TO220 CH-N 200 V 3.3 ASKU: TRAIRF610PBF

$ 23.00

Descripción El IRF610PBF es un MOSFET de potencia de canal N de 200V, el MOSFET de potencia de tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia a la sobrecarga. El paquete es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales industriales...

Transistor IRF614 Mosfet TO220 CH-N 250 V 2 A
Transistor IRF614 Mosfet TO220 CH-N 250 V 2 ASKU: TRAIRF614

$ 25.00

Descripción El transistor IRF614 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor IRF620 Mosfet TO220 CH-N 200 V 5.2 A
Transistor IRF620 Mosfet TO220 CH-N 200 V 5.2 ASKU: TRAIRF620

$ 33.00

Descripción El IRF620PBF es un modo de mejora de canal N de tercera generación. El MOSFET de potencia viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia de ENCENDIDO. El paquete es universalmente preferido para niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W. La...

Transistor IRF6215PBF Mosfet TO220 CH-P 150 V 13 A
Transistor IRF6215PBF Mosfet TO220 CH-P 150 V 13 ASKU: TRAIRF6215PBF

$ 54.00

Descripción El IRF6215PBF es un HEXFET® quinta generación de canal P de potencia. El MOSFET de potencia utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de ON extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona...

Transistor IRF630A Mosfet TO220 CH-N 200 V 9 A
Transistor IRF630A Mosfet TO220 CH-N 200 V 9 ASKU: TRAIRF630

$ 12.00

Descripción El transistor IRF630A de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.   El IRF630 es un MOSFET de potencia...

Transistor IRF634 Mosfet TO220 CH-N 250 V 8.1 A
Transistor IRF634 Mosfet TO220 CH-N 250 V 8.1 ASKU: TRAIRF634

$ 54.00 $ 70.00

Descripción El transistor IRF634  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.   Facilidad de paralelismo Calificación dinámica dv /...

Transistor IRF640N Mosfet TO220 CH-N 200 V 18 A
Transistor IRF640N Mosfet TO220 CH-N 200 V 18 ASKU: TRAIRF640N

$ 22.00

Descripción El transistor IRF640N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRF640 es un mosfet de  potencia que...

Transistor IRF644 Mosfet TO220 CH-N 250 V 14 A
Transistor IRF644 Mosfet TO220 CH-N 250 V 14 ASKU: TRAIRF644

$ 35.00 $ 42.00

Descripción El transistor IRF644N  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Tecnología robusta de avalancha Tecnología de óxido de...

Transistor IRF650B Mosfet TO220 CH-N 200 V 28 A
Transistor IRF650B Mosfet TO220 CH-N 200 V 28 ASKU: TRAIRF650B

$ 38.00

Descripción El transistor IRF650B de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRF620PBF es un MOSFET de potencia de...

Transistor IRF720 Mosfet TO220 CH-N 400 V 3.3 A
Transistor IRF720 Mosfet TO220 CH-N 400 V 3.3 ASKU: TRAIRF720

$ 69.00 $ 86.00

Descripción El transistor IRF720  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Baja resistencia térmica Tecnología de proceso avanzada Clasificación...