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Transistor IRF250 Mosfet Potencia CH-N 200 V 30 A

Transistor IRF250 Mosfet Potencia CH-N 200 V 30 A

TRAIRF250

$ 54.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor IRF250 de potencia  herméticamente sellado con muy baja resistencia y con alta transconductancia, energía inversa superior y la capacidad de recuperación de diodo dv / dt utilizando la tecnología Hi-Rel.
El mosfet IRG250 es  muy adecuado  para aplicaciones como el cambio fuentes de alimentación, controles del motor, inversores, choppers, audio amplificadores y circuitos de impulsos de alta energía.

  • Rangos de avalancha repetitiva
  • Dynamic dv / dt Rating
  • Sellado herméticamente
  • Requisitos sencillos de manejo
  • Facilidad de paralelismo
  • Aplicaciones: Fuentes de alimentación conmutadas, controles de motor, inversores, choppers, amplificadores de audio y circuitos de pulsos de alta energía

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje drenaje fuente VDSS: 200 V
  • Voltaje compuerta fuente VGS: ± 20 V
  • Corriente drenador continua ID:  30 A
  • Corriente pulso máxima IDP: 60 A
  • Disipación de potencia PD (TC=25°C): 150 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ:  0.07 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55°C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-3
  • 3 pines

    Sustituto

    NTE2376  

    Documentación

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