Inicio » Semiconductores
» Transistor IRF240 Mosfet Potencia CH-N 200 V 18 A
Transistor IRF240 Mosfet Potencia CH-N 200 V 18 A

Transistor IRF240 Mosfet Potencia CH-N 200 V 18 A

TRAIRF240

$ 32.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet IRF240 potencia herméticamente sellado con muy baja resistencia con alta transconductancia, energía inversa superior y la capacidad de recuperación de diodo dv / dt utilizando la tecnología Hi-Rel.
El mosfet IRG240 es  muy adecuado para aplicaciones como el cambio fuentes de alimentación, controles del motor, inversores, choppers, audio amplificadores y circuitos de impulsos de alta energía.

 

  • Rangos de avalancha repetitiva
  • Dynamic dv / dt Rating
  • Sellado herméticamente
  • Requisitos sencillos de manejo
  • Facilidad de paralelismo
  • Aplicaciones: Fuentes de alimentación conmutadas, controles de motor, inversores, choppers, amplificadores de audio y circuitos de pulsos de alta energía

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje drenaje fuente VDSS: 200 V
  • Voltaje compuerta fuente VGDS: ± 20 V
  • Corriente drenador continua ID: 18 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM:
  • Disipación de potencia PD (TC=25°C): 125 W
  • Fuente de activación  RDS(on) typ:  0.13 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55°C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-3
  • 3 pines

    Sustituto

    NTE2376

    Documentación

    Productos Relacionados

    Comentarios