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Semiconductores

Transistor HGTG20N50C1D Mosfet IGBT Potencia 500 V 26 A
Transistor HGTG20N50C1D Mosfet IGBT Potencia 500 V 26 ASKU: TRAHGTG20N50C1D

$ 84.00

Descripción El HGTG20N50C1D es un IGBT de canal N de 600 V con diodo hiper veloz anti paralelo. El dispositivo de conmutación de alto voltaje con compuerta MOS de la serie UFS combina las mejores características de los MOSFET y los transistores bipolares. El dispositivo tiene la alta impedancia de...

Transistor HGTG20N60C3D Mosfet IGBT Potencia 600 V 45 A
Transistor HGTG20N60C3D Mosfet IGBT Potencia 600 V 45 ASKU: TRAHGTG20N60C3D

$ 72.00

Descripción El HGTG20N60B3D es un IGBT de canal N de 600 V con diodo hiperveloz antiparalelo. El dispositivo de conmutación de alto voltaje con compuerta MOS de la serie UFS combina las mejores características de los MOSFET y los transistores bipolares. El dispositivo tiene la alta impedancia de entrada de...

Transistor HGTG30N60A4 Mosfet IGBT Potencia 600 V 75 A
Transistor HGTG30N60A4 Mosfet IGBT Potencia 600 V 75 ASKU: TRAHGTG30N60A4

$ 230.00 $ 260.00

Descripción El HGTG30N60A4 es un IGBT de canal N y 600V con un diodo hiper rápido antiparalelo que combina las mejores características de alta impedancia de entrada de un MOSFET y baja en la pérdida de conducción del estado de un transistor bipolar. Este IGBT es ideal para muchas aplicaciones...

Transistor HGTG40N60A4 Mosfet IGBT Potencia 600 V 75 A
Transistor HGTG40N60A4 Mosfet IGBT Potencia 600 V 75 ASKU: TRAHGTG40N60A4

$ 420.00

Descripción El HGTG40N60A4 es un IGBT de canal N y 600V con un diodo hiper rápido antiparalelo que combina las mejores características de alta impedancia de entrada de un MOSFET y baja en la pérdida de conducción del estado de un transistor bipolar. Este IGBT es ideal para muchas aplicaciones...

Transistor HUFA75339P3 Mosfet TO220 CH-N 55 V 75 A
Transistor HUFA75339P3 Mosfet TO220 CH-N 55 V 75 ASKU: TRAHUFA75339P3

$ 28.00

Descripción El transistor HUFA75339P3   de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor HUFA75343 Mosfet TO-220 CH-N 55 V 75 A
Transistor HUFA75343 Mosfet TO-220 CH-N 55 V 75 ASKU: TRAHUFA75343P3

$ 89.00

Descripción El transistor HUFA75343G3 es un  MOSFET de potencia de canal N se fabrican mediante el innovador proceso UltraFET. Esta avanzada tecnología de proceso logra la menor resistencia posible por área de silicio, lo que resulta en un desempeño sobresaliente. Este dispositivo es capaz de soportar alta energía en el...

Transistor HUFA75344G3 Mosfet Potencia CH-N 55 V 75 A
Transistor HUFA75344G3 Mosfet Potencia CH-N 55 V 75 ASKU: TRAHUFA75344G3

$ 150.00 $ 175.00

Descripción El transistor HUFA75344G3 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor HUFA75344P3 Mosfet TO-220 CH-N 55 V 75 A
Transistor HUFA75344P3 Mosfet TO-220 CH-N 55 V 75 ASKU: TRAHUFA75344P3

$ 142.00

Descripción Transistor Ultra fet mosfet de alta potencia HUFA75344P3  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) de canal N de 55V en paquete TO-220. Este MOSFET de potencia  muestra una densidad de embalaje extremadamente alta para resistencia de bajo estado, características de avalanchas rugosas y...

Transistor IRC540 Mosfet TO220 CH-N 100 V 28 A
Transistor IRC540 Mosfet TO220 CH-N 100 V 28 ASKU: TRAIRC540

$ 60.00 $ 80.00

Descripción El transistor IRC540 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor IRF1010E Hexfet TO220 CH-N 60 V 84 A
Transistor IRF1010E Hexfet TO220 CH-N 60 V 84 ASKU: TRAIRF1010E

$ 49.00

Descripción El IRF1010E es un MOSFET de potencia de canal N HEXFET® utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de ON extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un funcionamiento extremadamente eficiente y...

Transistor IRF1010NPBF Hexfet TO220 CH-N 55 V 85 A
Transistor IRF1010NPBF Hexfet TO220 CH-N 55 V 85 ASKU: TRAIRF1010NPBF

$ 54.00

Descripción El IRF1010NPBF es un MOSFET de potencia de canal N HEXFET® utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de ON extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un funcionamiento extremadamente eficiente y...

Transistor IRF1310 Mosfet TO220 CH-N 100 V 42 A
Transistor IRF1310 Mosfet TO220 CH-N 100 V 42 ASKU: TRAIRF1310N

$ 64.00

Descripción Transistor mosfet hexfet IRF1310NPBF Tipo T de un solo canal N 100V HEXFET® Power MOSFET con muy baja resistencia por unidad de superficie de silicio y el rendimiento de conmutación rápida usando tecnología planar avanzada.    Temperatura de trabajo 175 ° C Cambio rápido Valor dinámico dV / dt...

Transistor IRF1404PBF Mosfet TO220 CH-N 40 V 162 A
Transistor IRF1404PBF Mosfet TO220 CH-N 40 V 162 ASKU: TRAIRF1404

$ 50.00

Descripción Transistor mosfet IRF1404PBF Tipo T de potencia HEXFET® que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr resistencia por unidad extremadamente baja, de superficie de silicio. Las características adicionales de este diseño son: una temperatura de 175 ° C funcionamiento en el empalme, la velocidad de conmutación rápida y...

Transistor IRF1405 Mosfet TO220 CH-N 55 V 169 A
Transistor IRF1405 Mosfet TO220 CH-N 55 V 169 ASKU: TRAIRF1405

$ 85.00

Descripción Transistor mosfet IRF1405PBF Tipo T de potencia HEXFET® que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr resistencia por unidad extremadamente baja, de superficie de silicio. Las características adicionales de este diseño son: una temperatura de 175 °C funcionamiento en el empalme, la velocidad de conmutación rápida y una mejor...

Transistor IRF1407 Mosfet TO220 CH-N 75 V 130 A
Transistor IRF1407 Mosfet TO220 CH-N 75 V 130 ASKU: TRAIRF1407

$ 54.00

Descripción El IRF1407 es un MOSFET de potencia de un solo canal H de HEXFET® que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de este MOSFET de potencia HEXFET® son una temperatura de operación de la...

Transistor IRF150 Mosfet Potencia CH-N 100 V 38 A
Transistor IRF150 Mosfet Potencia CH-N 100 V 38 ASKU: TRAIRF150

$ 47.00

Descripción Transistor mosfet IRF150 potencia DE UN un solo canal N MOSFET 100V HEXFET® herméticamente sellado con muy baja resistencia con alta transconductancia, energía inversa superior y la capacidad de recuperación de diodo dv / dt utilizando la tecnología Hi-Rel. Son adecuados para aplicaciones como conmutación fuentes de alimentación, controles...

Transistor IRF240 Mosfet Potencia CH-N 200 V 18 A
Transistor IRF240 Mosfet Potencia CH-N 200 V 18 ASKU: TRAIRF240

$ 32.00

Descripción Transistor mosfet IRF240 potencia herméticamente sellado con muy baja resistencia con alta transconductancia, energía inversa superior y la capacidad de recuperación de diodo dv / dt utilizando la tecnología Hi-Rel. El mosfet IRG240 es  muy adecuado para aplicaciones como el cambio fuentes de alimentación, controles del motor, inversores, choppers, audio...

Transistor IRF250 Mosfet Potencia CH-N 200 V 30 A
Transistor IRF250 Mosfet Potencia CH-N 200 V 30 ASKU: TRAIRF250

$ 54.00

Descripción Transistor IRF250 de potencia  herméticamente sellado con muy baja resistencia y con alta transconductancia, energía inversa superior y la capacidad de recuperación de diodo dv / dt utilizando la tecnología Hi-Rel. El mosfet IRG250 es  muy adecuado  para aplicaciones como el cambio fuentes de alimentación, controles del motor, inversores,...

Transistor IRF2807 Mosfet TO220 CH-N 75 V 82 A
Transistor IRF2807 Mosfet TO220 CH-N 75 V 82 ASKU: TRAIRF2807

$ 56.00

Descripción Transistor mosfet IRF2807 Tipo T de potencia de canal N único HEXFET® que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de ON extremadamente baja por área. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un funcionamiento extremadamente eficiente...

Transistor IRF3205 Mosfet TO220 CH-N 55 V 110 A
Transistor IRF3205 Mosfet TO220 CH-N 55 V 110 ASKU: TRAIRF3205

$ 27.00

Descripción El transistor  IRF3205  es un MOSFET de canal N de energía HEXFET® con muy baja resistencia por unidad de superficie de silicio y de rendimiento de conmutación rápida que utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr muy baja resistencia por unidad de superficie de silicio. Este beneficio, en combinación...