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Transistor IRF1405 Mosfet TO220 CH-N 55 V 169 A

Transistor IRF1405 Mosfet TO220 CH N 55 V 169 A

TRAIRF1405

$ 98.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet IRF1405PBF Tipo T de potencia HEXFET® que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr resistencia por unidad extremadamente baja, de superficie de silicio. Las características adicionales de este diseño son: una temperatura de 175 °C funcionamiento en el empalme, la velocidad de conmutación rápida y una mejor calificación avalancha repetitiva. Estas características se combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia variedad de aplicaciones.

 

  • 175 ° C Temperatura de trabajo
  • Valor dinámico dV / dt
  • Totalmente avalancha
  • Automotriz calificado
  • Aplicaciones: Automoción  

Información Básica

  • Polaridad del transistor: CH-N
  • Tensión drenado-fuente: 55 V
  • Corriente de drenaje continua: 169 A
  • Disipación de potencia: 330 W
  • Tensión umbral: 4 V
  • Tensión Vgs de prueba Rds(on): 10 V
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.0046 Ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

No aplica

Documentación

Datasheet

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