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Transistor IRF520PBF Mosfet TO220 CH-N 100 V 9.2 A

Transistor IRF520PBF Mosfet TO220 CH-N 100 V 9.2 A

TRAIRF520

$ 12.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet IRF520 de poder que proporciona al diseñador  la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño de dispositivos para uso rudo, baja resistencia y costo-efectividad. La resistencia térmica baja contribuye a su amplia aceptación en la industria. 
El IRF520 es un MOSFET de potencia de canal N de 100 V que proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad. La baja resistencia térmica contribuye a su amplia aceptación en toda la industria.
  • Avalancha repetitiva calificada
  • Cambio rápido
  • Facilidad de paralelismo
  • Requisitos sencillos de manejo
  • ± 20V Puerta a voltaje de fuente
  • 2.5 ° C / W Resistencia térmica, unión a la caja
  • 62 ° C / W Resistencia térmica, unión a ambiente
  • Aplicaciones: Administración de potencia  

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 100 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
    • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 9.2 A
    • Corriente de drenaje pulsada IDP: 37 A
    • Corriente de avalancha IAR: 9.2 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 60 W
    • Resistencia de activación RDS(on) máxima: 0.27 Ohms
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 175 °C
    • Encapsulado: TO-220
    • Número de pines: 3
    • Modelo: OO20 +
    • Modelo: 870-543

    Sustituto

    NTE2382

    Documentación

    Datasheet

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