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Transistor IRF460 Mosfet Potencia CH-N 500 V 21 A

Transistor IRF460 Mosfet Potencia CH N 500 V 21 A

TRAIRF460

$ 115.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet IRF460 de potencia, hexfet que es una tecnología de la línea de rectificador avanzado de transistores MOSFET de potencia con una geometría eficiente y procesamiento único en el  diseño "Estado de la técnica" que logra: resistencia muy baja en el estado combinada con una alta transconductancia; Superior re-Energía del verso y recuperación del diodo capacidad del dv / dt. Los transistores HEXFET también cuentan con todas las ventajas de MOSFETs tales como control de voltaje, conmutación muy rápida, facilidad de puesta en paralelo y temperatura estabilidad de los parámetros eléctricos. Son muy adecuados para aplicaciones como la conmutación, fuentes de alimentación, controles de motores, inversores, interruptores, audio, amplificadores y circuitos de impulsos de alta energía.

  • Rangos de avalancha repetitiva
  • Rango dinámico  dv / dt
  • Sellado herméticamente
  • Requisitos sencillos de manejo
  • Facilidad de paralelismo
  • Aplicaciones: Fuentes de alimentación conmutadas, controles de motor, inversores, choppers, amplificadores de audio y circuitos de pulsos de alta energía

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje drenaje-fuente VDSS: 500 V
  • Corriente drenaje continua ID: 21 A
  • Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia Pd (Tc=25°C): 300 W
  • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 0.27 Ω (Vgs=10 V, Id=13 A)
  • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 0.31 Ω (Vgs=10 V, Id=21 A)
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-3
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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