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Transistor IRF530NPBF Mosfet TO220 CH-N 100 V 17 A

Transistor IRF530NPBF Mosfet TO220 CH-N 100 V 17 A

TRAIRF530

$ 12.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet IRF530NPBF de canal N que ofrece la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño de este dispositivos esta echo para uso rudo, baja resistencia y costo-efectividad.

 

  • Área de operación segura extendida
  • Corriente de fuga más baja (10A máximo en VDS = 100V)
  • Baja RDS (ON) (0,092Ω típico)
  • ± 20V Tensión de puerta a fuente
  • 6.5 ° C / W Resistencia térmica, unión al ambiente
  • 2.74 ° C / W Resistencia térmica, unión a caja
  • Aplicaciones: Administración de potencia  

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 17 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 100 V
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 100 V
  • Tensión umbral Vgs: 2 V
  • Disipación de potencia Pd (Tc=25°C): 105 W
  • Resistencia de activación Rds(on) máxima: 0.090 ohm
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3
  • Modelo: OO19 +
  • Modelo: 870-544

Sustituto

No aplica

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