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Transistor IRF9520PBF Mosfet TO220 CH-P 100 V 6.8 A
Transistor IRF9520PBF Mosfet TO220 CH-P 100 V 6.8 ASKU: TRAIRF9520

$ 35.00 $ 95.00

Descripción El transistor IRF9520PBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRF9520PBF es un MOSFET de potencia de...

Transistor IRF9540 Mosfet TO220 CH-P 100 V 23 A
Transistor IRF9540 Mosfet TO220 CH-P 100 V 23 ASKU: TRAIRF9540

$ 19.00

Descripción El transistor IRF9540 Tipo T es un mosfet de -100V  de canal P de potencia que  proporciona al diseñador con la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño de dispositivos para uso rudo, baja resistencia y costo-efectividad. La resistencia térmica baja contribuye a su amplia aceptación en la industria....

Transistor IRF9620 Mosfet TO220 CH-P 200 V 3.5 A
Transistor IRF9620 Mosfet TO220 CH-P 200 V 3.5 ASKU: TRAIRF9620

$ 59.00

Descripción El transistor IRF9620 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRF9620PBF es un MOSFET de potencia de...

Transistor IRF9630 Mosfet TO220 CH-P 200 V 6.5 A
Transistor IRF9630 Mosfet TO220 CH-P 200 V 6.5 ASKU: TRAIRF9630

$ 69.00 $ 80.00

Descripción El transistor IRF9630 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRF9630PBF es un MOSFET de potencia de...

Transistor IRF9640PBF Mosfet TO220 CH-P 220 V 11 A
Transistor IRF9640PBF Mosfet TO220 CH-P 220 V 11 ASKU: TRAIRF9640

$ 45.00

Descripción El transistor IRF9640PBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRF9640PBF es un MOSFET de potencia de...

Transistor IRFB16N60L Mosfet TO220 CH-N 600 V 16 A
Transistor IRFB16N60L Mosfet TO220 CH-N 600 V 16 ASKU: TRAIRFB16N60L

$ 36.00

Descripción El transistor IRFB16N60 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El diodo corporal ultrarrápido elimina la necesidad de...

Transistor IRFB23N20DPBF Mosfet TO220 CH-N 200 V 24 A
Transistor IRFB23N20DPBF Mosfet TO220 CH-N 200 V 24 ASKU: TRAIRFB23N20D

$ 130.00

Descripción El transistor IRFB23N20 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFB23N20DPBF es un MOSFET de potencia N-canal...

Transistor IRFB260N Mosfet TO220 CH-N 200 V 56 A
Transistor IRFB260N Mosfet TO220 CH-N 200 V 56 ASKU: TRAIRFB260N

$ 95.00

Descripción El transistor IRFB260 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFB260NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET®...

Transistor IRFB31N20DPBF Mosfet TO220 CH-N 200 V 31 A
Transistor IRFB31N20DPBF Mosfet TO220 CH-N 200 V 31 ASKU: TRAIRFB31N20D

$ 33.00

Descripción El transistor IRFB31N20 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFB31N20DPBF es un MOSFET de potencia N-canal...

Transistor IRFB33N15D Mosfet TO220 CH-N 150 V 33 A
Transistor IRFB33N15D Mosfet TO220 CH-N 150 V 33 ASKU: TRAIRFB33N15D

$ 66.00

Descripción El transistor IRFB33N15 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFB33N15D es un MOSFET de potencia N-canal...

Transistor IRFB3607 Mosfet TO220 CH-N 75 V 80 A
Transistor IRFB3607 Mosfet TO220 CH-N 75 V 80 ASKU: TRAIRFB3607

$ 39.00

Descripción Transistor mosfet IRFB3607 tipo T de un solo canal N 75V HEXFET® T con muy baja resistencia por unidad de superficie de silicio y el rendimiento de conmutación rápida utilizando la tecnología MOSFET Trench. Adecuado para la rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, sistema de alimentación ininterrumpida, de...

Transistor IRFB38N20D Mosfet TO220 CH-N 200 V 44 A
Transistor IRFB38N20D Mosfet TO220 CH-N 200 V 44 ASKU: TRAIRFB38N20

$ 80.00

Descripción El transistor IRFB38N20D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFB38N20D es un MOSFET de canal N...

Transistor IRFB41N15D Mosfet TO220 CH N 150 V 41 A
Transistor IRFB41N15D Mosfet TO220 CH N 150 V 41 ASKU: TRAIRFB41N15D

$ 55.00

Descripción El transistor IRFB41N15 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Carga baja de compuerta a desagüe para reducir...

Transistor IRFB4212PBF Mosfet TO220 CH-N 100 V 18 A
Transistor IRFB4212PBF Mosfet TO220 CH-N 100 V 18 ASKU: TRAIRFB4212PBF

$ 42.00

Descripción El transistor IRFB4212 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Parámetros clave optimizados para aplicaciones de amplificador de...

Transistor IRFB4227PBF Mosfet TO220 CH-N 200 V 65 A
Transistor IRFB4227PBF Mosfet TO220 CH-N 200 V 65 ASKU: TRAIRFB4227PBF

$ 560.00

Descripción El transistor IRFB4227PBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFB4227PBF es un mosfet conmutador  de potencia ...

Transistor IRFB42N20D Mosfet TO220 CH-N 200 V 44 A
Transistor IRFB42N20D Mosfet TO220 CH-N 200 V 44 ASKU: TRAIRFB42N20D

$ 185.00

Descripción El transistor IRFB42N20 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Carga baja de compuerta a desagüe para reducir...

Transistor IRFBG30PBF Mosfet TO220 CH-N 1000 V 3.1 A
Transistor IRFBG30PBF Mosfet TO220 CH-N 1000 V 3.1 ASKU: TRAIRFBG30

$ 84.00

Descripción El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.   Clasificación dinámica de dV/dt Calificación de avalancha repetitiva...

Transistor IRFD110 Mosfet Pequeña Señal CH-N 100 V 1 A
Transistor IRFD110 Mosfet Pequeña Señal CH-N 100 V 1 ASKU: TRAIRFD110

$ 17.00

Descripción El transistor IRFD110 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFD110PBF es un MOSFET de potencia de...

Transistor IRFD120 Mosfet Pequeña Señal CH-N 100 V 1.3 A
Transistor IRFD120 Mosfet Pequeña Señal CH-N 100 V 1.3 ASKU: TRAIRFD120

$ 25.00

Descripción El transistor IRFD120 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFD120PBF es un MOSFET de potencia de...

Transistor IRFD9120 Mosfet Pequeña Señal CH-P 100 V 1 A
Transistor IRFD9120 Mosfet Pequeña Señal CH-P 100 V 1 ASKU: TRAIRFD9120

$ 15.00 $ 40.00

Descripción El transistor IRFD9120 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFD9120PBF es un MOSFET de potencia de...