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Transistor SSS10N60 Mosfet TO220 CH-N 600 V 5.1 A

Transistor SSS10N60 Mosfet TO220 CH-N 600 V 5.1 A

TRASSS10N60

$ 25.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor SSS10N60 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

  • Tecnología avalancha
  • Tecnología robusta de óxido de compuerta
  • Capacitancia de entrada más baja
  • Carga mejorada de la compuerta
  • Área de operación segura extendida
  • Aplicaciones: Industrial, administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de drenaje-fuente VDS: 600 V
  • Voltaje de drenaje-compuerta VDGR: 600 V
  • Voltaje de fuente-compuerta VGS: ± 30 V
  • Corriente de drenaje continuo ID:5.1 A
  • Disipación de potencia máxima PD (TC=25°C): 50 W
  • Resistencia de activación Rds(on) máxima: 0.8 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -65 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-220F
  • 3 pines

Sustituto

NTE2927   2SK1118   2SK1507    2SK2141    2SK4086LS    2SK2564   2SK2645   2SK3115   FQP10N60C   TK8A60D   TK10A60D

Documentación

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