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Transistor SSP2N60B Mosfet TO220 CH-N 600 V 2 A

Transistor SSP2N60B Mosfet TO220 CH-N 600 V 2 A

TRASSP2N60B

$ 17.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 El SSP2N60B es un Mosfet adecuado para convertidores CC/ CC de conmutación de alta eficiencia, fuentes de alimentación conmutadas, convertidores CC-CA para suministro de energía ininterrumpido y control del motor.

  • Cambio rápido
  • 100% avalancha probado
  • Capacidad mejorada de dv / dt
  • Características típicas
  • Aplicaciones: Conmutación, regulación, industrial

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ± 30 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 2 A
  • Disipación de potencia máxima PD: 54 W
  • Resistencia de activación  RDS(on) typ:  3.8 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

    Sustituto

    2SK2043

    Documentación

    Datasheet

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