Inicio

Semiconductores

Transistor PN4250 Pequeña Señal
Transistor PN4250 Pequeña SeñalSKU: TRAPN4250

$ 12.00 $ 25.00

Descripción Transistor PN4250 pequeña señal diseñado para su uso como amplificador e interruptor de uso general que requieren corrientes de colector de hasta 300 mA. Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -60 V Voltaje de colector emisor VCEO: -60 V Voltaje emisor base VEBO: -5 V...

Transistor RFD14N05LSM Mosfet Pequeña Señal CH-N 50 V 15 A
Transistor RFD14N05LSM Mosfet Pequeña Señal CH-N 50 V 15 ASKU: TRARFD14N05LSM

$ 29.00

Descripción El RFD14N05LSM es un MOSFET de potencia de canal N fabricado utilizando el proceso MegaFET. Este proceso, que utiliza funciones similares a las de los circuitos integrados LSI, proporciona una utilización máxima de silicio, lo que resulta en un rendimiento sobresaliente. Fueron diseñados para su uso en aplicaciones tales...

Transistor RFP10N15 Mosfet TO220 CH-N 150 V 10 A
Transistor RFP10N15 Mosfet TO220 CH-N 150 V 10 ASKU: TRARFP10N15

$ 23.00

Descripción El transistor RFP10N15 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor RFP14N05L Mosfet TO220 CH-N 50 V 14 A
Transistor RFP14N05L Mosfet TO220 CH-N 50 V 14 ASKU: TRARFP14N05L

$ 22.00

Descripción El transistor RFP14N05L de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor RFP40N10 Mosfet TO220 CH-N 100 V 40 A
Transistor RFP40N10 Mosfet TO220 CH-N 100 V 40 ASKU: TRARFP40N10

$ 30.00

Descripción El RFP40N10 es un MOSFET de potencia HEXFET® de canal único de 100 V con resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio y rendimiento de conmutación rápida que utiliza tecnología planar avanzada.  175 ° C Temperatura de funcionamiento Clasificación dV / dt dinámica Completamente avalancha clasificada Aplicaciones:...

Transistor RFP50N06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 50 A
Transistor RFP50N06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 50 ASKU: TRARFP50N06

$ 84.00

Descripción El transistor RFP50N06 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor RFP70N06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 70 A
Transistor RFP70N06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 70 ASKU: TRARFP70N06

$ 45.00

Descripción El transistor RFP70N06 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor RJH3044 Mosfet IGBT Potencia CH-N 360 V 30 A
Transistor RJH3044 Mosfet IGBT Potencia CH-N 360 V 30 ASKU: TRARJH3044

$ 50.00

Descripción Transistor RJH3044 es un  IGBT de conmutación de potencia de alta velocidad para aplicaciones de cambio de potencia de alta velocidad. Conmutación de alta velocidad: tr = 80 ns típ., Tf = 150 ns Baja tensión de saturación de colector a emisor: VCE (sat) = 1,5 V típ Diodo...

Transistor RJH30E2 Mosfet IGBT TO220 CH-N 360 V 30 A
Transistor RJH30E2 Mosfet IGBT TO220 CH-N 360 V 30 ASKU: TRARJH30E2

$ 35.00

Descripción El transistor bipolar RJH30E2 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo  que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto...

Transistor RJP30E2 Mosfet IGBT Potencia CH-N 360 V 35 A
Transistor RJP30E2 Mosfet IGBT Potencia CH-N 360 V 35 ASKU: TRARJP30E2

$ 64.00

Descripción El transistor bipolar RJP30E2 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor RJP30E2DPP-MO Mosfet IGBT TO220 CH-N 360 V 35 A
Transistor RJP30E2DPP-MO Mosfet IGBT TO220 CH-N 360 V 35 ASKU: TRARJP30E2DPPM0

$ 33.00

Descripción El transistor bipolar RJP30E2DPP-MO de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de compuerta de los transistores de...

Transistor RJP30H1DPD Mosfet IGBT Pequeña Señal CH-N 360 V 30 A
Transistor RJP30H1DPD Mosfet IGBT Pequeña Señal CH-N 360 V 30 ASKU: TRARJP30H1DPD

$ 95.00

Descripción El transistor bipolar RJP30H1DPD de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor RJP30H1DPP-M0 Mosfet IGBT TO220 CH-N 360 V 30 A
Transistor RJP30H1DPP-M0 Mosfet IGBT TO220 CH-N 360 V 30 ASKU: TRARJP30H1DPPM0

$ 34.00

Descripción El transistor bipolar  RJP30H1DPP-M0 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor RJP30H2A Mosfet IGBT Pequeña Señal CH-N 360 V 35 A
Transistor RJP30H2A Mosfet IGBT Pequeña Señal CH-N 360 V 35 ASKU: TRARJP30H2A

$ 26.00

Descripción El transistor bipolar RJP30H2A de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor RJP30H2DPK-M0 Mosfet IGBT Potencia CH-N 360 V 35 A
Transistor RJP30H2DPK-M0 Mosfet IGBT Potencia CH-N 360 V 35 ASKU: TRARJP30H2

$ 89.00 $ 98.00

Descripción El transistor bipolar RJP30H2DPK-M0  de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor RJP63F3DPP-M0 Mosfet IGBT TO220 CH-N 630 V 40 A
Transistor RJP63F3DPP-M0 Mosfet IGBT TO220 CH-N 630 V 40 ASKU: TRARJP63F3DPPM0

$ 38.00

Descripción El transistor bipolar RJP63F3DPP-M0  de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor RJP63K2DPP-M0-T2 Mosfet IGBT TO220 CH-N 630 V 35 A
Transistor RJP63K2DPP-M0-T2 Mosfet IGBT TO220 CH-N 630 V 35 ASKU: TRARJP63K2DPPM0T2

$ 46.00

Descripción El transistor bipolar RJP63K2DPP-M0 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor S2055N Potencia
Transistor S2055N PotenciaSKU: TRAS2055N

$ 34.00

Descripción Transistor de potencia S2055N diseñado para su uso en aplicaciones de salida horizontal con diodo damper. Alto voltaje, alta velocidad Bajo voltaje de saturación del colector Diodo damper incorporado Aplicaciones:  Salida horizontal de TV en color, regulador de conmutación de TV en color Especificaciones Voltaje colector base VCBO: 1500...

Transistor S8050D UTC Pequeña Señal 25 V 0.5 A = SS8050D
Transistor S8050D UTC Pequeña Señal 25 V 0.5 A = SS8050DSKU: TRAS8050D

$ 3.00

Descripción Transistor S8050D pequeña señal diseñado para su uso para aplicaciones de amplificación  de salida de 2W de radios portátiles  en operación Push-pull Clase B. Complementario al SS8550 Aplicaciones: Alta corriente, audio Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector-base VCBO: 40 V Voltaje emisor-colecto VCEO: 25 V Voltaje emisor-base...

Transistor S8550C Pequeña Señal
Transistor S8550C Pequeña SeñalSKU: TRAS8550C

$ 3.00

Descripción El transistor S8550C de pequeña señal  diseñado para su uso en aplicaciones de salida de amplificación   de 2W para radios portátiles de clase B y operación Push-Pull. Complemento MPS8050 Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -40 V Voltaje colector emisor VCEO: -25 V Voltaje...