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Transistor SFP50N06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 50 A

Transistor SFP50N06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 50 A

TRASFP50N06

$ 39.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El RFP50N06 es un MOSFET de potencia de N-canal de 60V que está diseñado para aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motor y controladores de relés. Este transistor puede ser operado directamente desde circuitos integrados. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.

 

  • Baja RDS (on) (0.023 Ω) @ VGS = 10 V
  • Carga de puerta baja (típica 39 nC)
  • Crss bajo (típico 110 pF)
  • Capacidad mejorada de dv / dt
  • Prueba de avalancha al 100 %
  • Rango máximo de temperatura de unión (175 °C)
  • Aplicaciones: Conmutación

Información Básica

  • Polaridad de transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 60 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 60 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 50 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 200 A
  • Disipación de potencia de colector PC (Tc=25 °C): 130 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.018 ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

FQP50N06  

Documentación

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