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Transistor RJP30H2A Mosfet IGBT Pequeña Señal CH N 360 V 35 A
TRARJP30H2A
Descripción
El transistor bipolar RJP30H2A de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y sistemas de alimentación interrumpida, entre otras aplicaciones.
El RJP30H2A es un IGBT diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad.
- Tecnología de compuerta de trinchera y oblea delgada (serie G6H-II)
- Conmutación a alta velocidad: tr = 80 ns typ., Tf = 150 ns typ
- De baja tensión de saturación del colector al emisor: VCE (sat) = 1.5 V typ
- Baja fuga
- Aplicaciones: Conmutación de potencia
Información Básica
- Polaridad del transistor: Canal N
- Voltaje de colector a emisor VCES: 360 V
- Voltaje de puerta a emisor VGE: ±30 V
- Corriente continua de colector IC (Tc=25°C): 30 A
- Corriente de colector pulsada ICM: 200 A
- Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 40 W
- Temperatura de operación mínima: -55 °C
- Temperatura de operación máxima: 150 °C
- Encapsulado: D2PACK
- Número de pines: 3
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