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Semiconductores
$ 39.00
$ 48.00
Descripción El MJE12007 es un transistor de potencia NPN multiepitaxial de silicio montado en el paquete de plástico TO-220, diseñado para su uso en control de motores, reguladores de conmutación, etc. Alta capacidad de corriente Aplicaciones: Reguladores de conmutación, control de motor Información Básica Polaridad del transistor: NPN: Voltaje colector...
$ 4.00
Descripción Transistor MJE13001 de pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de energía. Especificaciones Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 600 V Tensión colector emisor VEBO: 400 V Voltaje emisor base VEBO: 7 V Corriente de colector DC Ic: 200 mA Disipación de potencia Pc...
$ 9.00
Descripción Transistor MJE13003G media potencia diseñado para circuitos inductivos de conmutación de potencia de alta tensión y alta velocidad donde el tiempo de caída es crítico. Son especialmente adecuados para aplicaciones de MODO DE INTERRUPTOR de 115 y 220 V. Aplicaciones: Reguladores de conmutación, inversores, controles de motor, solenoides...
$ 18.00
Descripción Transistor MJE13004 Tipo T diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad. Conmutación de alta velocidad Aplicaciones: Regulador de conmutación, control del motor Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje de colector emisor: VCBO: 600 V Voltaje colector emisor VCEO: 300 V Voltaje emisor...
$ 18.00
Descripción El MJE13005-2 es un transistor diseñado para su uso en circuitos inductivos de conmutación de potencia de alta velocidad y alto voltaje donde el tiempo de caída es crítico. Son particularmente adecuados para aplicaciones SWITCHMODE de 115 y 220 V, como reguladores de conmutación, inversores, controles de motor, controladores...
$ 23.00
$ 32.00
Descripción Transistor MJE13006 Tipo T diseñado para alta tensión,velocidad que conmutación en los circuitos inductivos donde el tiempo de caída es crítico. Este dispositivo es particularmente adecuado para aplicaciones de conmutación de modo 115V y 220V, tales como reguladores de conmutación, inversores, controles de motor, controladores de solenoide / relé...
$ 14.00
Descripción El MJE13007A es un transistor diseñado para la alta tensión y la potencia de alta velocidad de conmutación de circuitos inductivos donde el tiempo de caída es crítico. Es especialmente adecuado para aplicaciones de 220V y 115V en modo de conmutación, tales como reguladores de conmutación, inversores, controles de...
$ 16.00
Descripción Transistor MJE13009G Tipo T diseñado para su uso en circuitos inductivos de conmutación de potencia de alta tensión y alta velocidad donde el tiempo de caída es crítico. Este dispositivo es especialmente adecuado para aplicaciones de modo de conmutación de 115 y 220V, como reguladores de conmutación, inversores, controles...
$ 18.00
Descripción Transistor MJE15028 Tipo T diseñado para su uso como controlador de alta frecuencia en amplificadores de audio. Alta ganancia de corriente Alto ancho de banda Aplicaciones: Audio Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 150 V Voltaje colector emisor VCEO: 150 V Voltaje emisor base VEBO:...
$ 13.00
Descripción Transistor MJE15029 Tipo T diseñado para uso en controladores de alta frecuencia en aplicaciones de amplificadores de audio. Alta ganancia de corriente Alto ancho de banda Aplicaciones: Audio, industrial Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -150 V Voltaje colector emisor VCEO: -150 V Voltaje emisor...
$ 31.00
Descripción El MJE15030 es un transistor de silicio diseñado para su uso como conductor de alta frecuencia en amplificadores de audio. Ganancia de corriente CC (hfe = 20 mínimo en Ic = 4A) Voltaje de sostenimiento colector-emisor (Vceo (sus) = 150V mínimo) Alta ganancia de corriente Ato ancho de banda Aplicaciones:...
$ 61.00
Descripción El MJE15030G es un transistor de silicio diseñado para su uso como conductores de alta frecuencia en amplificadores de audio. Alto ancho de banda de ganancia actual Voltaje de la base del colector (Vcbo = 150V) Voltaje de la base del emisor (Vcbo = 5V) Información Básica Polaridad del...
$ 54.00
Descripción El MJE15031G es un transistor bipolar de potencia diseñado para su uso como conductor de alta frecuencia en amplificadores de audio. Gran ancho de banda de ganancia de corriente. Alta ganancia de corriente Alto ancho de banda Aplicaciones: Audio, industrial Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base...
$ 65.00
Descripción El MJE15032G es un transistor de energía diseñado para su uso como conductores de alta frecuencia en amplificadores de audio con alta ganancia de corriente DC y con gran ancho de banda de ganancia actual. Alta ganancia de corriente Alto ancho de banda Aplicaciones: Audio Información Básica Polaridad del...
$ 62.00
Descripción El MJE15033G es un transistor de potencia PNP diseñado para usarse como un controlador de alta frecuencia en amplificadores de audio. Alto ancho de banda de ganancia actual y alta ganancia de corriente DC. Alta ganancia de corriente CC Ganancia de alta corriente: producto de ancho de banda Paquete...
$ 78.00
Descripción Transistor MJE15035 Tipo T diseñado para su uso como controlador de alta frecuencia en aplicaciones de amplificadores de audio. Alta ganancia de corriente Alto ancho de banda Aplicaciones: Audio, industrial Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: 350 V Voltaje colector emisor VCEO: 350 V Voltaje...
$ 27.00
$ 38.00
Descripción Transistor MJE171 media potencia, diseñado para su uso como amplificador de audio de baja potencia y aplicaciones de conmutación de alta velocidad y baja corriente. Alta ganancia de corriente DC Alta corriente de ganancia - Producto de ancho de banda Construcción anular para escapes bajos Aplicaciones: Audio, industrial Información...
$ 28.00
Descripción El MJE243G es un transistor de silicio NPN de potencia diseñado para su uso en aplicaciones de propósito general de alta tensión. Alto voltaje de sostenimiento colector-emisor Alta ganancia de corriente DC Bajo voltaje de saturación del emisor del colector Alto ancho de banda de ganancia actual Libre de plomo Aplicaciones:...
$ 20.00
Descripción El MJE253G e s un transistor de silicio NPN de potencia que se usa en aplicaciones de propósito general de alta tensión. Alto voltaje sustentador de colector-emisor Alta ganancia de corriente CC en IC = 200 mA Bajo voltaje de saturación colector-emisor Producto de gran ancho de banda de ganancia actual Libre de plomo Aplicaciones: Controladores de pantalla, inversores...
$ 28.00
Descripción El MJE2955T es un transistor de energía destinado a los circuitos de conmutación de potencia y amplificadores de propósito general. Tensión de saturación rápida y y un voltaje de saturación muy bajo que da como resultado pérdidas de conmutación y conducción reducidas. Complementario al MJE3055T Parámetro hFE bien controlado...