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Semiconductores
$ 93.00
Descripción El transistor M50D060S de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Transistor M50D060S potencia. transistor El transistor M50D060S IGBT...
$ 39.00
$ 57.00
Descripción Transistor MD1803DFH Tipo T se fabrica utilizando la tecnología Diffused Coleccionista adoptando una estructura de alta tensión mejorada. La nueva serie MD muestra una eficacia de rendimiento actualizada en la etapa de deflexión horizontal. Rendimiento más estable frente a funcionamiento variación de temperatura Bajo requerimiento de unidad de base Trayectoria...
$ 39.00
$ 60.00
Descripción El MD2310FX es un transistor de alto voltaje NPN para pantalla CRT de definición estándar. La nueva serie MD usa un programa de eficiencia con rendimiento actualizado en la etapa de deflexión horizontal, tensión de saturación rápidos tiempos de conmutación y de muy baja lo que resulta en la...
$ 19.00
Descripción El MDF7N65 es un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales y diseñado para conmutación de alta velocidad y aplicaciones...
$ 21.00
Descripción El transistor ME15N10-G de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 339.00
Descripción El MJ10000 es un transistor darlington de potencia de silicio NPN con diodo de aceleración del emisor base., diseñado para uso en alta tensión, alta velocidad, conmutación de potencia en circuitos inductivos donde el tiempo de caída es crítico y adecuado para aplicaciones de modo de conmutación en línea....
$ 530.00
Descripción El MJ11016G es un transistor de potencia diseñado para su uso como dispositivos de salida del amplificador en aplicaciones de propósito general complementarios. El transistor tiene una construcción monolítica con resistencia de derivación base-emisor incorporado. Alta ganancia de corriente DC Voltaje base colector (Vcbo = 120V) Voltaje de...
$ 162.00
Descripción Transistor MJ15001 ON potencia diseñado para su uso en aplicaciones de alta potencia de audio, posicionadores de cabeza de disco y otras aplicaciones lineales. Área de operación segura alta Para diseños complementarios de baja distorsión Alta ganancia de corriente DC Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base...
$ 350.00
Descripción Transistor MJ15002 ON potencia diseñado para su uso en aplicaciones de alta potencia de audio, posicionadores de cabeza de disco y otras aplicaciones lineales. Área de operación segura alta Para diseños complementarios de baja distorsión Alta ganancia de corriente DC Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base...
$ 342.00
Descripción El MJ15015 es un transistor de silicio NPN complementario de energía de 120 V diseñado para su uso en aplicaciones de audio de alta potencia, motor paso a paso y otras aplicaciones lineales. Estos dispositivos también se pueden utilizar en circuitos de conmutación de potencia como controladores de relé...
$ 200.00
Descripción El MJ15016G es un transistor de silicio PNP bipolar complementario de alta potencia -120V diseñado para su uso en aplicaciones de audio de alta potencia, posicionadores cabeza del disco y otras aplicaciones lineales. El transistor se puede utilizar también en circuitos de conmutación de potencia, tales como relé o...
$ 330.00
Descripción El MJ15022G que es un transistor de silicio NPN de potencia con excelente zona de funcionamiento segura. Diseñado para su uso en aplicaciones de audio de alta potencia, posicionadores de cabeza del disco y otras aplicaciones lineales que cuenta con alta ganancia de corriente DC, excelente zona de funcionamiento...
$ 60.00
Descripción Transistor de potencia MJ15023 de silicio PNP con excelente y segura zona de funcionamiento diseñado para su uso en aplicaciones de audio de alta potencia, posicionadores de cabeza del disco y otras aplicaciones lineales. Cuenta con alta ganancia de corriente DC. Área de operación segura alta (100% probado)...
$ 334.00
Descripción EL MJ15023G es un transistor de potencia de silicio PNP con excelente y segura zona de funcionamiento diseñado para su uso en aplicaciones de audio de alta potencia, posicionadores de cabeza del disco y otras aplicaciones lineales. Cuenta con alta ganancia de corriente DC. Área de operación segura...
$ 50.00
Descripción El MJ21193G es un transistor de energía -250V, de silicio, PNP, bipolar que utiliza la tecnología emisor perforada y está diseñado específicamente para su uso en aplicaciones de salida de audio de alta potencia, posicionadores de cabeza de disco y aplicaciones lineales. Distorsión armónica total caracterizada Alta ganancia...
$ 95.00
$ 120.00
Descripción El MJ2955 es un transistor de potencia de silicio, complementario, PNP de -60V diseñado para usarse en aplicaciones de propósito general de conmutación y de amplificador. Voltaje máximo de saturación de colector a emisor (VCE (sat)) de 1.1V Voltaje de colector-base de -100V Voltaje de emisor-base de -7V Corriente...
Agotado
$ 40.00
$ 55.00
Descripción Transistor MJ3001 potencia diseñado para su uso omo dispositivos de salida en aplicaciones complementarias de amplificador de propósito general. Alta ganancia de corriente CC - hFE = 4000 (Typ) @ IC = 5.0 Adc Construcción monolítica con resistores de derivación de emisor de base incorporados Información Básica Polaridad: NPN...
$ 150.00
$ 300.00
Descripción Transistor MJ4502G potencia marca ON diseñado para su uso en amplificadores de potencia de uso general y aplicaciones de conmutación de música. Excelente ganancia de corriente CC Ancho de banda de ganancia de alta corriente Voltaje de saturación colector-emisor bajo Corriente de fuga baja Información Básica Polaridad del...
$ 85.00
Descripción El MJ802 es un transistor de potencia diseñado para su uso como dispositivos de salida de los amplificadores de audio complementarios a 100W de potencia por canal de música. Alta ganancia de corriente CC - hFE = 25–100 @ IC = 7.5 A Excelente área de operación segura...
$ 35.00
$ 50.00
Descripción El MJD122G es un transistor de potencia darlington complementario, bipolar, de 100V con polaridad NPN diseñado para amplificador de uso general y aplicaciones de conmutación de baja velocidad. Este transistor es reemplazo de montaje superficial para la serie 2N6040-2N6045, serie TIP120-TIP122 y serie TIP125-TIP127 también tiene construcción monolítica con...