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Semiconductores
$ 59.00
$ 83.00
Descripción El 2N6058 es un transistor darlington complementario de 80V, NPN, diseñado para amplificador de uso general y aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. Alta ganancia de corriente continua Construcción monolítica con resistencias de derivación base-emisor incorporadas Tensión del colector-base (Vcb = 80V) Voltaje emisor-base (Veb = 5V) Aplicaciones: Industrial...
$ 52.00
Descripción El 2N6059 es un transistor de base epitelial de silicio NPN de 100V con configuración monolítica de darlington diseñado para uso en aplicaciones de conmutación de potencia lineal y de baja frecuencia. Alta ganancia Alta corriente Alta disipación Diodo colector-emisor integrado antiparalelo Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad del transistor:...
$ 110.00
Descripción El 2N6284G es un transistor de potencia bipolar NPN darlington con construcción monolítica, con resistencias de derivación base-emisor incorporadas, diseñado para aplicaciones de amplificación de uso general y de conmutación de baja frecuencia. Alta ganancia de corriente continua 1.09 ° C / W Resistencia térmica de unión a caja...
$ 35.00
Descripcíon El 2N6286G es un transistor Darlington, PNP diseñado para aplicaciones de conmutación. Es un amplificador de propósito general y de baja frecuencia. Cuenta con la construcción monolítica con resistencias en derivación base-emisor incorporadas. Aplicaciones: Industrial Especificaciones Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: 80 V Voltaje colector emisor...
$ 65.00
Descripción Transistor 2N6287 de potencia, PNP, bipolar complementario, darlington de poder, diseñado para amplificador de uso general y aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. El transistor tiene una construcción monolítica con una resistencia de derivación base-emisor incorporada. Alta ganancia de corriente continua Colector-emisor que sostiene el voltaje (Vce (sus) =...
$ 360.00
Descripción El transistor 2N6287G ,PNP, bipolar, complementario, darlington de poder, diseñado para amplificador de uso general y aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. El transistor tiene una construcción monolítica con una resistencia de derivación base-emisor incorporada. Alta ganancia de corriente continua Colector-emisor que sostiene el voltaje (Vce (sus) = 100VDC...
$ 14.00
Descripción El 2N6388 es un transistor de potencia de plástico NPN con Darlington diseñado para aplicaciones de amplificación de uso general y de conmutación de baja frecuencia. Cuenta con una construcción monolítica con resistencias de derivación base-emisor incorporadas. Voltaje de mantenimiento de colector-emisor VCEO (sus) = 80 V (mínimo) Voltaje...
$ 63.00
Descripción El 2N6420 es un transistor de potencia de alto voltaje complementario de potencia media diseñado para la conmutación de alta velocidad y la aplicación de amplificador lineal para amplificadores operacionales de alta tensión, reguladores de conmutación, convertidores, etapas de deflexión y amplificadores de alta fidelidad. Alta velocidad de...
$ 17.00
Descripción El 2N6488 es un transistor de potencia de silicio complementario NPN de 15A diseñado para su uso en amplificadores de uso general y aplicaciones de conmutación. Alta ganancia de corriente CC Ganancia de alta corriente: producto de ancho de banda Estos dispositivos son libres de Pb y cumplen certificación...
$ 5.00
Descripción Transistor 2N6520 pequeña señal diseñado para su uso como amplificador de uso general. Complemento del 2N6517 Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -350 V Voltaje colector emisor VCEO: -350 V Voltaje emisor base VEBO: -5 V Corriente del colector DC : -500 mA Disipación de...
$ 2.00
Descripción El 2N7000 es un transistor de efecto de campo de modo mejorado con canal N, fabricado con la tecnología DMOS de alta densidad de celdas de Fairchild. Estos transistores de efecto de campo de modo de mejora de canal N se producen utilizando la tecnología DMOS de alta densidad...
$ 15.00
Descripción Transistor Mosfet 2N7002 de pequeña señal de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los...
$ 19.00
Descripción Transistor 2SA101 de germanio diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Aplicaciones: Audio Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector emisor VCEO: 15 V Corriente: 10 mA Disipación de potencia Tc=25°C: 30 mW Temperatura de operación máxima: 100 °C Encapsulado: TO-18 Número de pines:...
$ 25.00
$ 35.00
Descripción El transistor 2SA1011 diseñado para su uso como amplificador operacional de propósito general y para aplicaciones de salida vertical. Aplicaciones: Salida vertical y salidas de amplificador Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: 180 V Voltaje colector emisor VCEO: 160 V Voltaje emisor base VEBO;...
$ 7.00
Descripción Transistor 2SA1013 pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de televisión de color y para la salida de deflexión vertical. Complemento del 2SC2383 Alto voltaje Gran capacidad de corriente de colector continuo Aplicaciones: TV operada en línea, salida de desviación vertical y salida de sonido Información Básica Tipo:...
$ 3.00
Descripción Transistor 2SA1015 de pequeña señal diseñado para aplicaciones de amplificador de frecuencia de audio y aplicaciones de bajo nivel de ruido. Complemento del 2SC1815 Alto voltaje y alta corriente Bajo ruido Excelente linealidad hFE Aplicaciones: Amplificador de frecuencia de audio y amplificador de bajo ruido Información Básica Polaridad del...
$ 12.00
Descripción Transistor 2SA1020 pequeña señal diseñado para su uso en amplificadores de potencia media de uso general y circuitos de conmutación que requieren corrientes de colector a 1A. Alto voltaje de ruptura de colector-emisor: VCEO = 80 V Capacidad excepcional de disipación de energía Información Básica Polaridad del transistor: PNP...
$ 16.00
Descripción Transistor 2SA1036 pequeña señal diseñado para aplicaciones de propósito general y recomendado para aplicaciones de bajo voltaje. Aplicaciones: Propósito general Información Básica Polaridad: PNP Voltaje colector a base VCBO: -40 V Voltaje colector a emisor VCEO: -32 V Voltaje emisor a base VEBO: -5 V Corriente continua Ic: -500...
$ 5.00
Descripción Transistor 2SA1048 pequeña señal para aplicaciones de amplificación de baja frecuencia y frecuencia de audio de bajo ruido. Alto voltaje Alto hFE Excelente linealidad hFE Bajo ruido Complemento 2SC2458 Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -50 V Voltaje colector emisor VCEO: -50V Voltaje emisor base...
$ 6.00
Descripción El transistor 2SA1084 pequeña señal es un amplificador de baja frecuencia de bajo ruido. Amplificador de baja frecuencia y bajo ruido Par complementario con 2SC2545, 2SC2546 y 2SC2547 Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -90 V Voltaje colector emisor VCEO: -90 V Voltaje emisor base...