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Semiconductores
$ 29.00
$ 50.00
Descripción Transistor 1136-3 Potencia. Especificaciones Polaridad del transistor: NPN Voltaje: 40 V Frecuencia de transición ft: 60 MHz Disipación de potencia: 400 mW Corriente del colector DC: 300 mA Ganancia de corriente DC hFE: 70000 hFE Encapsulado: TO-3P 3 pines Sustituto No aplica Documentación No Aplica
$ 65.00
Descripción El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto...
$ 155.00
$ 190.00
Descripción El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto...
$ 39.00
$ 58.00
Descripción Transistor 2N1893 media potencia diseñado principalmente para aplicaciones de amplificación y conmutación. Tensión de ruptura alta Baja corriente de fuga Capacidad baja Beta útil en un rango de corriente extremadamente amplio Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad del transistor: NPN Tensión Colector Emisor V(br)ceo: 80 V Frecuencia de transición: 70...
$ 15.00
Descripción El 2N2222A es un transistor bipolar NPN de baja potencia de uso general que sirve tanto para aplicaciones de amplificación como de conmutación. Puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias; por lo tanto, sólo puede tratar potencias bajas (no mayores de medio Watt). Puede trabajar a frecuencias...
$ 190.00
Descripción Transistor UJT 2N2646 de pequeña señal es un transistor UJT (Transistor Unijunction) o Transistor de Unión Unipolar. Es un dispositivo semiconductor que tiene tres terminales: el emisor (E), la base 1 (B1) y la base 2 (B2). A diferencia de otros transistores, el UJT no se utiliza típicamente como...
$ 43.00
Descripción Transistor 2N2905A de pequeña señal de conmutación rápida, corto apague y tensión, baja saturación, de ahí que el dispositivo sea el más adecuado para la conmutación y amplificación. Voltaje de colector a emisor (Vce) de -60 V Corriente continua de colector (Ic) de 600 mA Disipación de potencia de 600...
$ 37.00
Descripción El 2N2906A es un transistor de conmutación de alta velocidad plano de silicio PNP de -60 V diseñado para aplicaciones de amplificación DC y VHF de aplicación lineal y de conmutación. Dispositivos de conmutación rápida que muestran características de apagado corto y bajo voltaje de saturación. -60V Colector a...
$ 37.00
Descripción El 2N3053 es un transistor de silicio NPN diseñado principalmente para aplicaciones de amplificación y conmutación. Este dispositivo cuenta con alto voltaje de ruptura, baja corriente de fuga, baja capacidad y beta útil en un rango de corriente extremadamente amplio. 35 ° C / W Junction to case resistencia...
$ 20.00
Descripción El 2N3054 es un transistor bipolar del silicio NPN diseñado para las aplicaciones de la conmutación y del amplificador del uso de la energía del uso general. Excelente área de operación segura CC Ganancia de corriente especificada en 3A -65 a 200 ° C Margen de temperatura de la...
$ 48.00
Descripción El 2N3055 es un transistor de silicio complementario diseñado para audio de alta potencia, para motor de paso a paso y otras aplicaciones lineales. Puede ser utilizado en circuitos de conmutación de potencia, tales como relé o solenoide conductores, convertidores DC-a-DC, inversores o para cargas inductivas que requieren área...
$ 185.00
Descripción El 2N3055G es un transistor de silicio complementario diseñado para audio de alta potencia,para motor de paso a paso y otras aplicaciones lineales. Puede ser utilizado en circuitos de conmutación de potencia, tales como relé o solenoide conductores, convertidores DC-a-DC, inversores o para cargas inductivas requieren área de operación...
$ 65.00
$ 79.00
Descripción Transistor 2N3439 pequeña señal, bipolar del silicio NPN 350V diseñado para la conmutación de alto voltaje y las aplicaciones lineares del amplificador. Tensión colector-base (Vcbo = 450V) Voltaje emisor-base (Vebo = 7V) Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad: NPN Tensión colector emisor V(br)ceo: 350 V Frecuencia de transición ft: 15...
$ 5.00
Descripción Transistor 2N3704 pequeña señal amplificador de bajo ruido y conmutación de uso general. 200 ° C / W Resistencia térmica de la unión a la ambiente Aplicaciones: Audio Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 50 V Voltaje colector emisor VCEO: 30 V Voltaje emisor base...
$ 140.00
$ 160.00
Descripción Transistor 2N3866A pequeña señal de potencia baja NPN de silicio diseñado para su uso en equipos VHF y UHF. Es adecuado para funciones de oscilador y multiplicador de frecuencia. Potencia de salida de 1 W Aplicaciones: Audio, procesado de señal Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector-emisor...
$ 2.00
Descripción Transistor 2N3904BU de pequeña señal, de conmutación rápida, con apague corto y baja tensión de saturación, adecuado para la conmutación y amplificación. El rango dinámico útil se extiende a 100 mA como un interruptor y a 100 MHz como un amplificador. El 2N3904 es un dispositivo electrónico de estado...
$ 24.00
Descripción El Transistor 2N3905 de pequeña señal es un amplificador PNP de uso general. Este dispositivo está diseñado para su uso como amplificadores de uso general para los interruptores que requieren corrientes de colector a 200 mA. Bajo costo Aplicaciones: Administración de potencia, industrial Información Básica Polaridad del...
$ 2.00
Descripción El 2N3906 con polaridad PNP es un dispositivo electrónico de estado solido de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction Transistor) que utiliza las propiedades del silicio para amplificar señales de voltaje o corriente. El 2N3906 PNP esta protegido por un encapsulado de plástico color negro...
$ 4.00
Descripción Transistor 2N4401 de pequeña señal, NPN 40 V, 0.6 A, 5 MHz de baja potencia usado para propósito general en aplicaciones de conmutación. El transistor en NPN empieza a conducir cuando la unión base emisor es polarizada en directo (Fluye corriente de la base al emisor). El emisor está...
$ 15.00
Descripción El transistor 2N4402 de pequeña señal es un amplificador de switcheo, diseñado para su uso en el amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Complemento de NTE123AP Tiempo de apagado de 400ns 8.3 ° C / W Resistencia térmica de unión a caja 200 ° C / W Resistencia...