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Semiconductores
$ 5.00
Descripción Transistor 2N5551BU amplificador de propósito general, diseñado para usos generales de alto voltaje, amplificadores y conductores de pantalla de descarga de gas. Colector a la tensión de ruptura del emisor de 160V Colector a la tensión de saturación del emisor de 200mV a la corriente del colector 50mA Disipación...
$ 150.00
$ 360.00
Descripción Transistor 2N5884 potencia genérico de silicio complementario de alta potencia de 25A NPN diseñado para amplificador de potencia de uso general y aplicaciones de conmutación. Tensión baja de la saturación del colector-emisor (1VDC máximo VCE (sat) @ 15A DC IC) Baja corriente de fuga (1mA DC máxima ICEX @...
$ 49.00
Descripción El 2N5886 es un transistor de potencia de 80V NPN complementario ideal para amplificador de potencia de uso general y aplicaciones de conmutación. Baja tensión de saturación colector-emisor Excelente ganancia de corriente DC Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje V (br) ceo: 80 V Transición de...
$ 11.00
Descripción Transistor 2N6027G UJT de pequeña señal PNP programable, unijunction transistor (PUT), donde las terminales se designan como ánodo, puerta ánodo y el cátodo. El PUT ofrece muchas ventajas sobre los transistores de unión unipolar convencionales. El diseñador puede seleccionar R1 y R2 para programar las características de unión unipolar...
$ 185.00
Descripción Transistor 2N6028G UJT de pequeña señal con polaridad PNP, Donde las terminales se designan como ánodo, compuerta ánodo y cátodo. El PUT ofrece muchas ventajas sobre los transistores de unión unipolar convencionales. El diseñador puede seleccionar R1 y R2 para programar las características de unión unipolar como relación intrínseca...
$ 24.00
Descripción Transistor 2N6039 media potencia diseñado para aplicaciones de conmutación de baja velocidad y amplificador de propósito general. Darlington Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 80 V Voltaje colector emisor VCEO: 80 V Voltaje emisor base VEBO: 5 V Disipación de potencia Pd: 40 W Corriente...
$ 150.00
$ 298.00
Descripción El 2N6052 es un transistor de Darlington de -100V, PNP de silicio diseñado para las aplicaciones del amplificador de uso general y de frecuencia baja. Tiene construcción monolítica con resistencias de derivación base-emisor incorporadas. Alta ganancia de corriente continua -100V Colector a la tensión de base (VCBO) -5V Voltaje...
$ 59.00
$ 83.00
Descripción El 2N6058 es un transistor darlington complementario de 80V, NPN, diseñado para amplificador de uso general y aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. Alta ganancia de corriente continua Construcción monolítica con resistencias de derivación base-emisor incorporadas Tensión del colector-base (Vcb = 80V) Voltaje emisor-base (Veb = 5V) Aplicaciones: Industrial...
$ 52.00
Descripción El 2N6059 es un transistor de base epitelial de silicio NPN de 100V con configuración monolítica de darlington diseñado para uso en aplicaciones de conmutación de potencia lineal y de baja frecuencia. Alta ganancia Alta corriente Alta disipación Diodo colector-emisor integrado antiparalelo Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad del transistor:...
$ 110.00
Descripción El 2N6284G es un transistor de potencia bipolar NPN darlington con construcción monolítica, con resistencias de derivación base-emisor incorporadas, diseñado para aplicaciones de amplificación de uso general y de conmutación de baja frecuencia. Alta ganancia de corriente continua 1.09 ° C / W Resistencia térmica de unión a caja...
$ 35.00
Descripcíon El 2N6286G es un transistor Darlington, PNP diseñado para aplicaciones de conmutación. Es un amplificador de propósito general y de baja frecuencia. Cuenta con la construcción monolítica con resistencias en derivación base-emisor incorporadas. Aplicaciones: Industrial Especificaciones Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: 80 V Voltaje colector emisor...
$ 65.00
Descripción Transistor 2N6287 de potencia, PNP, bipolar complementario, darlington de poder, diseñado para amplificador de uso general y aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. El transistor tiene una construcción monolítica con una resistencia de derivación base-emisor incorporada. Alta ganancia de corriente continua Colector-emisor que sostiene el voltaje (Vce (sus) =...
$ 360.00
Descripción El transistor 2N6287G ,PNP, bipolar, complementario, darlington de poder, diseñado para amplificador de uso general y aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. El transistor tiene una construcción monolítica con una resistencia de derivación base-emisor incorporada. Alta ganancia de corriente continua Colector-emisor que sostiene el voltaje (Vce (sus) = 100VDC...
$ 14.00
Descripción El 2N6388 es un transistor de potencia de plástico NPN con Darlington diseñado para aplicaciones de amplificación de uso general y de conmutación de baja frecuencia. Cuenta con una construcción monolítica con resistencias de derivación base-emisor incorporadas. Voltaje de mantenimiento de colector-emisor VCEO (sus) = 80 V (mínimo) Voltaje...
$ 63.00
Descripción El 2N6420 es un transistor de potencia de alto voltaje complementario de potencia media diseñado para la conmutación de alta velocidad y la aplicación de amplificador lineal para amplificadores operacionales de alta tensión, reguladores de conmutación, convertidores, etapas de deflexión y amplificadores de alta fidelidad. Alta velocidad de...
$ 17.00
Descripción El 2N6488 es un transistor de potencia de silicio complementario NPN de 15A diseñado para su uso en amplificadores de uso general y aplicaciones de conmutación. Alta ganancia de corriente CC Ganancia de alta corriente: producto de ancho de banda Estos dispositivos son libres de Pb y cumplen certificación...
$ 5.00
Descripción Transistor 2N6520 pequeña señal diseñado para su uso como amplificador de uso general. Complemento del 2N6517 Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -350 V Voltaje colector emisor VCEO: -350 V Voltaje emisor base VEBO: -5 V Corriente del colector DC : -500 mA Disipación de...
$ 2.00
Descripción El 2N7000 es un transistor de efecto de campo de modo mejorado con canal N, fabricado con la tecnología DMOS de alta densidad de celdas de Fairchild. Estos transistores de efecto de campo de modo de mejora de canal N se producen utilizando la tecnología DMOS de alta densidad...
$ 15.00
Descripción Transistor Mosfet 2N7002 de pequeña señal de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los...
$ 19.00
Descripción Transistor 2SA101 de germanio diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Aplicaciones: Audio Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector emisor VCEO: 15 V Corriente: 10 mA Disipación de potencia Tc=25°C: 30 mW Temperatura de operación máxima: 100 °C Encapsulado: TO-18 Número de pines:...