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Semiconductores
$ 130.00
Descripción El NTE384 es un transistor de potencia NPN de silicio epitaxial múltiple en un paquete de tipo TO66 que utiliza una estructura de sitio de múltiples emisores. La construcción epitaxial múltiple maximiza la característica de voltios-amperios del dispositivo y proporciona velocidades de conmutación rápidas. El diseño de emisores múltiples...
$ 95.00
$ 187.00
Descripción El NTE456 es un transistor de efecto de campo de silicio de unión de canal N en un paquete tipo TO72 diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificador de propósito general. Aplicaciones: Amplificador de propósito general Información Básica Polaridad del transistor: Canal N Voltaje de drenaje a fuente...
$ 150.00
$ 210.00
Descripción Semiconductor NTE459 es un transistor diseñado para su uso como amplificador y switch AF. Aplicaciones: Amplificador AF, Choppe y conmutación Información Básica Polaridad del transistor: Canal N Voltaje de drenaje a fuente VDS: 50 V Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 50 V Voltaje de compuerta a fuente VGS:...
$ 95.00
$ 177.00
Descripción Semiconductor NTE466 es un transistor diseñado para su uso como amplificador y switch AF. Aplicaciones: Amplificador AF, Choppe y conmutación Información Básica Polaridad del transistor: Canal N Voltaje de drenaje a fuente VDS: 40 V Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 40 V Voltaje de compuerta a fuente VGS:...
$ 12.00
Descripción El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados...
$ 45.00
Descripción El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados...
$ 35.00
Descripción La serie PJ1117 de reguladores de voltaje positivo de alto rendimiento está diseñada para su uso en aplicaciones que requieren un rendimiento de baja caída a la corriente nominal completa. Además, la serie PJ1117 proporciona una excelente regulación sobre las variaciones debidas a cambios en la línea, la carga...
$ 29.00
$ 50.00
Descripción Transistor 1136-3 Potencia. Especificaciones Polaridad del transistor: NPN Voltaje: 40 V Frecuencia de transición ft: 60 MHz Disipación de potencia: 400 mW Corriente del colector DC: 300 mA Ganancia de corriente DC hFE: 70000 hFE Encapsulado: TO-3P 3 pines Sustituto No aplica Documentación No Aplica
$ 65.00
Descripción El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto...
$ 155.00
$ 190.00
Descripción El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto...
$ 39.00
$ 58.00
Descripción Transistor 2N1893 media potencia diseñado principalmente para aplicaciones de amplificación y conmutación. Tensión de ruptura alta Baja corriente de fuga Capacidad baja Beta útil en un rango de corriente extremadamente amplio Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad del transistor: NPN Tensión Colector Emisor V(br)ceo: 80 V Frecuencia de transición: 70...
$ 15.00
Descripción El 2N2222A es un transistor bipolar NPN de baja potencia de uso general que sirve tanto para aplicaciones de amplificación como de conmutación. Puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias; por lo tanto, sólo puede tratar potencias bajas (no mayores de medio Watt). Puede trabajar a frecuencias...
$ 190.00
Descripción Transistor UJT 2N2646 de pequeña señal es un transistor UJT (Transistor Unijunction) o Transistor de Unión Unipolar. Es un dispositivo semiconductor que tiene tres terminales: el emisor (E), la base 1 (B1) y la base 2 (B2). A diferencia de otros transistores, el UJT no se utiliza típicamente como...
$ 43.00
Descripción Transistor 2N2905A de pequeña señal de conmutación rápida, corto apague y tensión, baja saturación, de ahí que el dispositivo sea el más adecuado para la conmutación y amplificación. Voltaje de colector a emisor (Vce) de -60 V Corriente continua de colector (Ic) de 600 mA Disipación de potencia de 600...
$ 37.00
Descripción El 2N2906A es un transistor de conmutación de alta velocidad plano de silicio PNP de -60 V diseñado para aplicaciones de amplificación DC y VHF de aplicación lineal y de conmutación. Dispositivos de conmutación rápida que muestran características de apagado corto y bajo voltaje de saturación. -60V Colector a...
$ 37.00
Descripción El 2N3053 es un transistor de silicio NPN diseñado principalmente para aplicaciones de amplificación y conmutación. Este dispositivo cuenta con alto voltaje de ruptura, baja corriente de fuga, baja capacidad y beta útil en un rango de corriente extremadamente amplio. 35 ° C / W Junction to case resistencia...
$ 20.00
Descripción El 2N3054 es un transistor bipolar del silicio NPN diseñado para las aplicaciones de la conmutación y del amplificador del uso de la energía del uso general. Excelente área de operación segura CC Ganancia de corriente especificada en 3A -65 a 200 ° C Margen de temperatura de la...
$ 48.00
Descripción El 2N3055 es un transistor de silicio complementario diseñado para audio de alta potencia, para motor de paso a paso y otras aplicaciones lineales. Puede ser utilizado en circuitos de conmutación de potencia, tales como relé o solenoide conductores, convertidores DC-a-DC, inversores o para cargas inductivas que requieren área...
$ 185.00
Descripción El 2N3055G es un transistor de silicio complementario diseñado para audio de alta potencia,para motor de paso a paso y otras aplicaciones lineales. Puede ser utilizado en circuitos de conmutación de potencia, tales como relé o solenoide conductores, convertidores DC-a-DC, inversores o para cargas inductivas requieren área de operación...
$ 65.00
$ 79.00
Descripción Transistor 2N3439 pequeña señal, bipolar del silicio NPN 350V diseñado para la conmutación de alto voltaje y las aplicaciones lineares del amplificador. Tensión colector-base (Vcbo = 450V) Voltaje emisor-base (Vebo = 7V) Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad: NPN Tensión colector emisor V(br)ceo: 350 V Frecuencia de transición ft: 15...