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Semiconductores
$ 19.00
$ 30.00
Descripción Semiconductor NTE194 diseñado para su uso como amplificador de potencia de audio. Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector base VCBO: : 180 V Voltaje colector emisor VCEO: 160 V Voltaje emisor base VEBO: 6 V Corriente continua: 600 mA Disipación de potencia: 350 mW Temperatura de funcionamiento mínima: -55...
$ 150.00
$ 250.00
Descripción Semiconductor NTE2050 es un circuito Integrado convertidor 31/2–dígitos. Los NTE2050 y NTE2051 son convertidores A / D de 3-1 / 2 cifras de alto rendimiento y baja potencia que contienen todos los dispositivos activos necesarios en un único IC CMOS. Se incluyen siete decodificadores de segmento, pantalla controladores, referencia y...
$ 89.00
$ 196.00
Descripción Semiconductor NTE2102 es un circuito integrado CMOS SRAM estático 1 K. Información Básica 350 ns Encapsulado DIP 16 pines Sustituto NTE2102 Documentación Datasheet Nota: 4 unidades en existencia
$ 116.00
Descripción Transistor de alto voltaje y switch de alta velocidad NPN de 400V diseñado para alto voltaje, potencia de alta velocidad de conmutación de circuitos inductivos donde el tiempo es crítico caída. Este dispositivo es particularmente adecuado para aplicaciones de 115V y el interruptor de modo 220, tales como reguladores...
$ 188.00
Descripción El NTE2319 es un transistor NPN de silicio de 450 V diseñado para alta tensión, alta velocidad y conmutación de potencia en circuitos inductivos donde el tiempo de caída es crítico. Es particularmente adecuado para aplicaciones de modo de interruptor operado por línea. Interruptor de alto voltaje y alta...
$ 126.00
$ 210.00
Descripción Semiconductor NTE2320 es un transistor cuádruple e interruptor de propósito general, amplificador de par complementario. Información Básica Polaridad: NPN / PNP Voltaje colector base VCBO: 60 V Voltaje colector emisor VCEO: 30 V Voltaje emisor base VEBO: 5 V Corriente colector: 500 mA Disipación de potencia: 0.65 W Temperatura...
$ 85.00
Descripción Los transistores de silicio complementarios NTE2361 (NPN) y NTE2362 (PNP) están diseñados para amplificadores de propósito general y aplicaciones de conmutación de alta velocidad. La alta ganancia de estos dispositivos hace posible que se controlen directamente desde circuitos integrados. Su complemento es NTE2362 Encapsulado pequeño Alto voltaje de...
$ 255.00
Descripción Semiconductor NTE237 es un transistor salida de potencia RF diseñado para su uso en aplicaciones de la transmisión de radio, la potencia de salida del transmisor (TPO) es la cantidad real de potencia (en vatios) de energía de radiofrecuencia (RF) que produce un transmisor en su salida. Aplicaciones: Salida...
$ 25.00
Descripción El NTE2409 es un transistor de silicio PNP de uso general en un paquete de montaje en superficie tipo SOT-23 diseñado para su uso en etapas de controlador de amplificadores de audio en circuitos híbridos de película fina y gruesa. Complemento NTE2908 Aplicaciones: Controlador de amplificadores de audio...
$ 155.00
Descripción El NTE243 (NPN) y NTE244 (PNP) son transistores Darlington complementarios de silicio en una carcasa tipo TO3 diseñados para amplificadores de propósito general y aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. Alta ganancia de corriente CC Voltaje de mantenimiento de colector-emisor Construcción monolítica con resistencias de derivación de emisor...
$ 260.00
Descripción El NTE249 (NPN) y NTE250 (PNP) son transistores Darlington complementarios de silicio en una carcasa tipo TO3 diseñados para su uso como dispositivos de salida en aplicaciones complementarias de amplificador de propósito general. 3500 Alta ganancia de corriente DC hFE @ IC = 10A Construcción monolítica con resistencias...
$ 39.00
$ 55.00
Descripción Semiconductor NTE2501 es un transistor diseñado para su uso en aplicaciones de salida de alto voltaje. Alto voltaje de ruptura Excelente característica de alta frecuencia Aplicaciones: Salida cromática de televisión en color, controladores de alto voltaje de ruptura Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO:...
$ 10.00
Descripción Semiconductor NTE2503 diseñado para su uso como interruptor de alta ganancia. Alta ganancia de corriente CC Capacidad de alta corriente Voltaje de saturación colector-emisor bajo Alto voltaje de emisor-base Aplicaciones: Amplificador AF y varios controladores Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 30 V Voltaje colector...
$ 25.00
$ 60.00
Descripción El NTE2506 es un transistor epitaxial NPN de silicio en un paquete tipo TO126 diseñado para su uso en la etapa de código del controlador para monitores gráficos en color de alta resolución. Alto voltaje de ruptura Capacitancia de salida baja Aplicaciones: Controladora de video de alta frecuencia Información...
$ 45.00
$ 102.00
Descripción Semiconductor NTE2514 es un transistor diseñado para su uso como interruptor de alta corriente. Voltaje de saturación del emisor del colector bajo Producto de ancho de banda de alta ganancia Excelente linealidad de hFE Tiempo de cambio rápido Aplicaciones: Controladores de pantalla, inversores de alta velocidad, convertidores Información...
$ 35.00
$ 90.00
Descripción Semiconductor NTE2516 es un transistor diseñado para su uso como interruptor de alta corriente. Voltaje de saturación del emisor del colector bajo Producto de ancho de banda de alta ganancia Excelente linealidad de hFE Tiempo de cambio rápido Aplicaciones: Controladores de pantalla, inversores de alta velocidad, convertidores Información Básica...
$ 90.00
$ 170.00
Descripción Semiconductor NTE2521 es un transistor diseñado para su uso en aplicaciones de salida de video para HDTV. Ancho de banda de alta ganancia Alto voltaje de ruptura Alta corriente Capacidad de transferencia inversa baja y excelente respuesta de alta frecuencia Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base...
$ 95.00
$ 210.00
Descripción Semiconductor NTE2535. Transistor complementario switch de alta corriente. Su complemento es NTE2534 Voltaje de saturación del emisor del colector bajo Aplicaciones: Controladores de relé Inversores de alta velocidad Convertidores Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -90 V Voltaje colector emisor VCEO: -80 V Voltaje...
$ 49.00
Descripción Semiconductor NTE254 es un transistor diseñado para su uso como amplificador de potencia darlington. El NTE253 (NPN) y NTE254 (PNP) son transistores Darlington complementarios de silicio en una carcasa tipo TO126 diseñados para amplificadores de propósito general y aplicaciones de conmutación de baja velocidad. Alta ganancia de corriente...
$ 100.00
$ 320.00
Descripción Semiconductor NTE2559 es un transistor diseñado para su uso como manejador de motor de relevador. Su complemento es NTE2560 Aplicaciones: Darlington, controlador de motor / relé Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 120 V Voltaje colector emisor VCEO: 120 V Voltaje emisor base VEBO: 6 V...