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Semiconductores
$ 95.00
$ 188.00
Descripción Semiconductor NTE100 es un transistor oscilador complementario, switch de mediana velocidad. El NTE100 es un transistor de germanio PNP de -24 V complementario utilizado como oscilador o un mezclador para la radio AM y el interruptor de velocidad media. Aplicaciones: Audio Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base...
$ 75.00
$ 125.00
Descripción Circuito Integrado NTE1019 diseñado para su uso como módulo, híbrido, amplificador ecualizador de bajo ruido. Información Básica Suministro de voltaje máximo: 30 V Disipación de potencia: 300 mW Temperatura de operación mínima: -20°C Temperatura de operación máxima: 100°C Encapsulado SIP 9 pines Sustituto NTE1019 Documentación Datasheet Nota: 2...
$ 140.00
Descripción Semiconductor NTE102 es un transistor PNP manejador con salida de potencia. El NTE102 es un transistor PNP de germanio complementario,diseñado para aplicaciones de conmutación de velocidad media saturados. Voltaje de saturación colector-emisor bajo Alto voltaje de ruptura del emisor-base Aplicaciones: Salida de potencia Información Básica Polaridad del transistor: PNP...
$ 57.00
Descripción Semiconductor NTE106 es un transistor diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación. Aplicaciones: Administración de potencia. Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -15 V Voltaje colector emisor VCEO: -15 V Voltaje emisor base VEBO: -4.5 V Corriente de colector IC: 200 mA Disipación de...
$ 20.00
$ 45.00
Descripción Semiconductor NTE112 es un diodo schottky de pequeña señal para su uso con mezcladores UHF y aplicaciones de conmutación ultrarrápida. Resistencia térmica de unión al ambiente 400°C/W Temperatura máxima de terminación de +230°C Aplicaciones: Comunicaciones RF, administración de potencia Información Básica Tipo de diodo: Schottky Configuración del diodo: Ünico...
$ 95.00
$ 150.00
Descripción Semiconductor NTE1208, circuito integrado CMOS compuesto por un comparador de fase digital y un amplificador. La salida de tres estados conectada al filtro de paso bajo (usando un amplificador interno) producirá voltaje de CC para controlar un VCO. Los pulsos de estado bajo aparecen en fase eliminada siempre que...
$ 45.00
Descripción Semiconductor NTE123 es un transistor diseñado para su uso como switch amplificador de audio de propósito general. Aplicaciones: Amplificador de propósito general Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 75 V Voltaje colector emisor VCEO: 40 V Voltaje emisor base VEBO: 6 V Corriente de...
$ 250.00
$ 493.00
Descripción Semiconductor NTE1233 es un circuito que consta de un oscilador de cristal, un divisor de 10 bits, un comparador de fase y un contador programable dividido por N de 9 bits construido con un dispositivo MOS complementario en una estructura monolítica de un chip. Este dispositivo ha sido diseñado...
$ 17.00
Descripción Semiconductor NTE123AP es un transistor diseñado para su uso como switch amplificador de audio. Complemento del NTE159. El NTE123AP es un transistor NPN de silicio diseñado para su uso en amplificadores de audio y aplicaciones de conmutadores. 20ns Tiempo de subida 30ns Tiempo de caída Aplicaciones: Audio Información Básica...
$ 90.00
$ 185.00
Descripción Semiconductor NTE126A es un transistor PNP de germanio diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Aplicaciones: Conmutación de alta velocidad Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -15 V Voltaje colector emisor VCEO: -25 V Voltaje emisor base VEBO: -3 V...
$ 150.00
$ 329.00
Descripción Semiconductor NTE129 diseñado para su uso como procesador y demodulador de TV crhoma. Información Básica Suministro de voltaje: 15 V Disipación de potencia: 600 mW Temperatura de operación mínima: -15°C Temperatura de operación máxima: 65°C Encapsulado DIP 16 pines Sustituto NTE1296 Documentación Datasheet Nota: 5 unidades en existencia...
$ 65.00
$ 121.00
Descripción El NTE154 es un transistor NPN de silicio en un paquete tipo TO39 diseñado para usarse como salida de video para controlar un CRT de color. Alto voltaje: VCEO = 300V Min @ IC = 5mA Baja capacitancia: Cob = 3pF Max @ VCB = 20V Alta frecuencia: ft...
$ 90.00
$ 199.00
Descripción Semiconductor NTE160 es un transistor amplificador de germanio, oscilador PNP, diseñado para su uso como un mezclador de preamplificador y oscilador de hasta 900 MHz. Aplicaciones: Comunicaciones RF Información Básica Polaridad PNP Tensión colector emisor V(br)ceo 16V Frecuencia de transición ft 700MHz Disipación de potencia Pd 60mW Corriente de...
$ 110.00
$ 270.00
Descripción Semiconductor NTE176 es un transistor diseñado para su uso como amplificador de potencia de audio de germanio. Transistor bipolar BJT. Información Básica Polaridad PNP Tensión colector emisor V(br)ceo: -25 V Frecuencia de transición ft: 1.2 MHz Disipación de potencia Pd: 6 W Corriente de colector DC: -2 A Ganancia...
$ 8.00
Descripción Semiconductor NTE177 es un diodo rectificador de propósito general de silicio para aplicaciones de conmutación donde la banda de color indica polaridad extremo del cátodo. Voltaje inverso continuo de 150V Corriente CD directa de 250mA Corriente continua máxima repetitiva de 625mA Disipación total de potencia de 400mW Aplicaciones:...
$ 75.00
Descripción Semiconductor NTE1836 es un circuito integrado que contiene circuitos periféricos excluidos de CPU / PLL, como conmutador de banda, fuente de alimentación de + 5V (con RST), detector de sincronización, filtro de paso bajo para el uso del sistema de selección de canal de sintetizador de frecuencia de TV...
$ 90.00
$ 189.00
Descripción El NTE188 (NPN) y el NTE189 (PNP) son transistores de silicio complementarios en un paquete tipo TO202N diseñado para aplicaciones generales de amplificador y controlador de alto voltaje. Voltaje de ruptura de colector-emisor alto: V (BR) CEO = 80V @ IC = 1mA Disipación de alta potencia: PD...
$ 85.00
$ 168.00
Descripción El NTE190 es un transistor bipolar de NPN de silicio diseñado para aplicaciones de accionamiento horizontal, amplificadores lineales de alto voltaje y reguladores de transistor de alto voltaje. Voltaje de ruptura de colector-emisor alto: V (BR) CEO = 180V (Min) @ IC = 1mA Voltaje de saturación colector-emisor bajo:...
$ 80.00
$ 250.00
Descripción Semiconductor NTE1912 es un regulador de voltaje positivo fijo de 3 terminales en un paquete tipo TO3 diseñado para su uso en aplicaciones que requieren un voltaje de salida positivo bien regulado. Las características sobresalientes incluyen el uso de potencia total de hasta 3 A de corriente de carga,...
$ 195.00
$ 250.00
Descripción Semiconductor NTE1934 es un transistor diseñado para su uso como regulador de voltaje positivo. Tensión de ajuste preciso de ± 2% Amplio rango de voltaje de entrada (~45 V) Protección de plegado de corriente incorporada Combinación ideal de transistor de potencia pasivado y circuito de chip de alta fiabilidad...