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Proyectos y Robótica
$ 44.00
Descripción Transistor 2SA1516 diseñado para su uso en aplicaciones de etapa de salida de amplificador de frecuencia de audio de alta fidelidad de 100 V. Aplicaciones: Salida potencia de audio Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -180 V Voltaje de colector emisor VCEO: -180 V Voltaje...
$ 29.00
$ 40.00
Descripción Transistor 2SA1633 de potencia diseñado para salida de audio. Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -150 V Voltaje colector emisor VCEO: -150 V Voltaje emisor base VEBO: -6 V Transición de frecuencia ft: 25 MHz Disipación de potencia Pd (Tc=25°C:) 100 W DC Corriente del...
$ 46.00
$ 50.00
Descripción Transistor 2SA1673 potencia diseñado para aplicaciones de audio y propósito general. Salida de potencia de audio Voltaje de colector-base (Vcb = 200V) Voltaje de emisor-base (Veb = 5V) Aplicaciones: Audio Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -180 V Voltaje colector emisor VCEO: -180 V Voltaje...
$ 37.00
Descripción Transistor 2SA2073 de pequeña señal para aplicaciones de descarga de alto voltaje, conmutación de alta velocidad de ruido bajo (−60V, −3A). Conmutación de alta velocidad. (tf: Typ.: 20ns en IC = −3A) 2) Bajo voltaje de saturación, típicamente (Típico: −200mV en IC = −2.0A, IB = −200mA) Fuerte potencia...
$ 150.00
$ 230.00
Descripción Transistor 2SA798 diseñado para su uso como amplificador dual, diferencial, alta ganancia, bajo nivel de ruido, emisor común Aplicaciones: Audio Información Básica Polaridad del transistor: PNP Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W Tensión colector-base (Vcb): 50 V Tensión colector-emisor (Vce): 50 V Tensión emisor-base (Veb): 10 V Corriente...
$ 5.00
Descripción Transistor 2SA844 pequeña diseñado para su uso como amplificador de baja frecuencia. Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -55 V Voltaje colector emisor VCEO: -55 V Voltaje emisor base VEBO: -5 V Corriente colector Ic: -100 mA Disipación potencia colector Pc: 300 mW Temperatura de operación...
$ 59.00
$ 75.00
Descripción 2SB1429 potencia es un transistor complementario de silicio PNP de -200V diseñado para su uso en aplicaciones de la etapa de salida del amplificador de frecuencia de audio de alta fidelidad de 100 W. Salida de potencia de audio Voltaje de colector-base (Vcb = 200V) Voltaje de emisor-base...
$ 22.00
Descripción Transistor 2SB827 potencia diseñado para su uso en aplicaciones de switcheo. Aplicaciones: Conmutación universal de alta corriente como solenoide de conducción, inversor de alta velocidad y convertidor Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -60 V Voltaje de colector emisor VCEO: -50 V Voltaje emisor...
$ 42.00
Descripción Transistor 2SC1172B potencia diseñado para su uso en aplicaciones en la salida horizontal del televisor a color. Sin diodo damper Alta velocidad de conmutación Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 1500 V Voltaje de colector emisor VCEO: 800 V Voltaje emisor base VEBO: 6 V...
$ 49.00
Descripción Transistor 2SC1969 Tipo T diseñado para aplicaciones de amplificador de potencia de radio RF móvil de banda HF. Alta frecuencia de transición Amplia área de operación segura Aplicaciones: Amplificadores clase AB de 10W a 14W de banda HF Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 60...
$ 25.00
$ 39.00
Descripción Transistor 2SC2075 Tipo T diseñado para su uso en aplicaciones de amplificador de clase AB de potencia de salida de 10-14 vatios en la banda de HF. Alta frecuencia de transición Amplia área de operación segura Aplicaciones: Amplificador de potencia de 27MHz, Recomendado para la aplicación de etapa de salida...
$ 14.00
Descripción El Transistor 2SC5395 de pequeña señal es un amplificador NPN de uso general. Este dispositivo está diseñado para su uso en aplicaciones de voltaje de baja frecuencia. Bajo voltaje de saturación Para voltaje de baja frecuencia Excelente linealidad de la corriente continua Aplicaciones: Para amplificación de voltaje de baja...
$ 58.00
Descripción El 2SD1090 es un transistor de silicio NPN de 200 V de triple difusión (proceso PCT) diseñado para su uso en aplicaciones del regulador de potencia de TV en color. Alta capacidad de disipación de energía del colector Alta ganancia de corriente DC Alto voltaje Aplicaciones: Regulación de potencia...
$ 70.00
$ 110.00
Descripción El 2SD2560 es un transistor diseñado para su uso en aplicaciones de audio, reguladores en serie y uso general. Complemento 2SB1647 Darlington Aplicaciones: Audio, regulador de serie y uso general Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector a base VCBO: 150 V Voltaje colector a emisor VCEO: 150...
$ 55.00
$ 93.00
Descripción El 2SD588 es un transistor diseñado para su uso en aplicaciones de audio, convertidores y uso general. Alta capacidad de disipación de energía del colector Alta ganancia de corriente DC Alto voltaje Aplicaciones: Audio, regulador de serie y uso general Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector a...
$ 130.00
Descripción El transistor IRFB23N20 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFB23N20DPBF es un MOSFET de potencia N-canal...
$ 70.00
Descripción El IRFP260MPBF de International Rectifier es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N simple de 200V en encapsulado TO-247AC. Este MOSFET cuenta con una resistencia en estado de conducción extremadamente baja por área de silicio, valor dinámico dv/dt, facilidad de paralelismo, resistente, conmutación rápida, requisitos sencillos de conducción...
$ 31.00
$ 40.00
Descripción El transistor KF5N50P de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El KF5N50 es un MOSFET de banda plana...
$ 21.00
Descripción El transistor ME15N10-G de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 70.00
Descripción Transistores NJW0281G de potencia bipolar, con la linealidad de ganancia superior y con un desempeño seguro para el área de operación. Este transistor es ideal para las etapas de salida del amplificador de audio de alta fidelidad y demás aplicaciones lineales. Área operativa segura excepcional Ganancia de coincidencia dentro...