Inicio » Proyectos y Robótica
» Transistor IRFP260N Mosfet Potencia CH-N 200 V 50 A
Transistor IRFP260N Mosfet Potencia CH-N 200 V 50 A

Transistor IRFP260N Mosfet Potencia CH N 200 V 50 A

TRAIRFP260M

$ 88.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El IRFP260MPBF de International Rectifier es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N simple de 200V en encapsulado TO-247AC. Este MOSFET cuenta con una resistencia en estado de conducción extremadamente baja por área de silicio, valor dinámico dv/dt, facilidad de paralelismo, resistente, conmutación rápida, requisitos sencillos de conducción y calificación total para avalancha. Como resultado, estos MOSFET de potencia son conocidos por su eficiencia y confiabilidad extremas que los hacen aptos para su uso en una gran variedad de aplicaciones. 

  • Tecnología de proceso avanzada, clasificación dinámica dv / dt 
  • Temperatura de funcionamiento 175 °C
  • Conmutación rápida
  • Clasificación total para avalanchas
  • Facilidad de conexión en paralelo
  • Requisitos simples de accionamiento
  • Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo  

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 200 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 50 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 200 A
  • Corriente de avalancha IAR: 50 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 300 W
  • Resistencia de activación RDS(on) máxima: 0.04 Ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-247AC
  • Número de pines: 3

Sustituto

NTE2916   IRFP260N 

Documentación

Productos Relacionados

Comentarios