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Transistor IRF520PBF Mosfet TO220 CH-N 100 V 9.2 A
Transistor IRF520PBF Mosfet TO220 CH-N 100 V 9.2 ASKU: TRAIRF520

$ 12.00

Descripción Transistor mosfet IRF520 de poder que proporciona al diseñador  la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño de dispositivos para uso rudo, baja resistencia y costo-efectividad. La resistencia térmica baja contribuye a su amplia aceptación en la industria.  El IRF520 es un MOSFET de potencia de canal N de...

Transistor IRF510PBF Mosfet TO220 CH-N 100 V 5.6 A
Transistor IRF510PBF Mosfet TO220 CH-N 100 V 5.6 ASKU: TRAIRF510

$ 39.00

Descripción El IRF510PBF es un MOSFET de potencia de canal N de tercera generación de International Rectifier es un MOSFET de potencia HEXFET de canal P de -55 V en el paquete TO-220AB. Este MOSFET tiene una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dv / dt dinámica, conmutación...

Transistor IRF4905 Mosfet TO-220 CH-P 55 V 74 A
Transistor IRF4905 Mosfet TO-220 CH-P 55 V 74 ASKU: TRAIRF4905

$ 12.00

Descripción El IRF4905PBF de International Rectifier es un MOSFET de potencia HEXFET de canal P de -55 V en el paquete TO-220AB. Este MOSFET tiene una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dv / dt dinámica, conmutación rápida y resistente y, como resultado, una calificación de avalancha total,...

Transistor IRF460 Mosfet Potencia CH-N 500 V 21 A
Transistor IRF460 Mosfet Potencia CH-N 500 V 21 ASKU: TRAIRF460

$ 128.00

Descripción Transistor mosfet IRF460 de potencia, hexfet que es una tecnología de la línea de rectificador avanzado de transistores MOSFET de potencia con una geometría eficiente y procesamiento único en el  diseño "Estado de la técnica" que logra: resistencia muy baja en el estado combinada con una alta transconductancia; Superior...

Transisto IRF3415 Mosfet TO220 CH-N 150 V 43 A
Transisto IRF3415 Mosfet TO220 CH-N 150 V 43 ASKU: TRAIRF3415

$ 85.00

Descripción Transistor mosfet IRF3415PBF Tipo  de potencia de N-canal único de quinta generación de HEXFET® utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia ON extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un funcionamiento extremadamente...

Transistor IRF3205 Mosfet TO220 CH-N 55 V 110 A
Transistor IRF3205 Mosfet TO220 CH-N 55 V 110 ASKU: TRAIRF3205

$ 29.00

Descripción El transistor  IRF3205  es un MOSFET de canal N de energía HEXFET® con muy baja resistencia por unidad de superficie de silicio y de rendimiento de conmutación rápida que utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr muy baja resistencia por unidad de superficie de silicio. Este beneficio, en combinación...

Transistor IRF2807 Mosfet TO220 CH-N 75 V 82 A
Transistor IRF2807 Mosfet TO220 CH-N 75 V 82 ASKU: TRAIRF2807

$ 60.00

Descripción Transistor mosfet IRF2807 Tipo T de potencia de canal N único HEXFET® que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de ON extremadamente baja por área. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un funcionamiento extremadamente eficiente...

Transistor IRF250 Mosfet Potencia CH-N 200 V 30 A
Transistor IRF250 Mosfet Potencia CH-N 200 V 30 ASKU: TRAIRF250

$ 73.00

Descripción Transistor IRF250 de potencia  herméticamente sellado con muy baja resistencia y con alta transconductancia, energía inversa superior y la capacidad de recuperación de diodo dv / dt utilizando la tecnología Hi-Rel. El mosfet IRG250 es  muy adecuado  para aplicaciones como el cambio fuentes de alimentación, controles del motor, inversores,...

Transistor IRF240 Mosfet Potencia CH-N 200 V 18 A
Transistor IRF240 Mosfet Potencia CH-N 200 V 18 ASKU: TRAIRF240

$ 49.00

Descripción Transistor mosfet IRF240 potencia herméticamente sellado con muy baja resistencia con alta transconductancia, energía inversa superior y la capacidad de recuperación de diodo dv / dt utilizando la tecnología Hi-Rel. El mosfet IRG240 es  muy adecuado para aplicaciones como el cambio fuentes de alimentación, controles del motor, inversores, choppers, audio...

Transistor IRF150 Mosfet Potencia CH-N 100 V 38 A
Transistor IRF150 Mosfet Potencia CH-N 100 V 38 ASKU: TRAIRF150

$ 220.00

dDescripción Transistor mosfet IRF150 potencia DE UN un solo canal N MOSFET 100V HEXFET® herméticamente sellado con muy baja resistencia con alta transconductancia, energía inversa superior y la capacidad de recuperación de diodo dv / dt utilizando la tecnología Hi-Rel. Son adecuados para aplicaciones como conmutación fuentes de alimentación, controles...

Transistor IRF1404PBF Mosfet TO220 CH-N 40 V 162 A
Transistor IRF1404PBF Mosfet TO220 CH-N 40 V 162 ASKU: TRAIRF1404

$ 69.00

Descripción Transistor mosfet IRF1404PBF Tipo T de potencia HEXFET® que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr resistencia por unidad extremadamente baja, de superficie de silicio. Las características adicionales de este diseño son: una temperatura de 175 ° C funcionamiento en el empalme, la velocidad de conmutación rápida y...

Transistor IRF1310 Mosfet TO220 CH-N 100 V 42 A
Transistor IRF1310 Mosfet TO220 CH-N 100 V 42 ASKU: TRAIRF1310N

$ 77.00

Descripción Transistor mosfet hexfet IRF1310NPBF Tipo T de un solo canal N 100V HEXFET® Power MOSFET con muy baja resistencia por unidad de superficie de silicio y el rendimiento de conmutación rápida usando tecnología planar avanzada, diseñado para manejar voltajes de hasta 100 V y corrientes de hasta 42 A....

Transistor IRF1010E Hexfet TO220 CH-N 60 V 84 A
Transistor IRF1010E Hexfet TO220 CH-N 60 V 84 ASKU: TRAIRF1010E

$ 55.00

Descripción El IRF1010E es un MOSFET de potencia de canal N HEXFET® de alto rendimiento que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de ON extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un...

Transistor IRC540 Mosfet TO220 CH-N 100 V 28 A
Transistor IRC540 Mosfet TO220 CH-N 100 V 28 ASKU: TRAIRC540

$ 60.00 $ 80.00

Descripción El transistor IRC540 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor HUFA75344G3 Mosfet Potencia CH-N 55 V 75 A
Transistor HUFA75344G3 Mosfet Potencia CH-N 55 V 75 ASKU: TRAHUFA75344G3

$ 150.00 $ 175.00

Descripción El transistor HUFA75344G3 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor HUFA75339P3 Mosfet TO220 CH-N 55 V 75 A
Transistor HUFA75339P3 Mosfet TO220 CH-N 55 V 75 ASKU: TRAHUFA75339P3

$ 39.00

Descripción El transistor HUFA75339P3   de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor HGTG20N60C3D Mosfet IGBT Potencia 600 V 45 A
Transistor HGTG20N60C3D Mosfet IGBT Potencia 600 V 45 ASKU: TRAHGTG20N60C3D

$ 115.00

Descripción El HGTG20N60B3D es un IGBT de canal N de 600 V con diodo hiperveloz antiparalelo. El dispositivo de conmutación de alto voltaje con compuerta MOS de la serie UFS combina las mejores características de los MOSFET y los transistores bipolares. El dispositivo tiene la alta impedancia de entrada de...

Transistor HGTG12N60A4D Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 54 A
Transistor HGTG12N60A4D Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 54 ASKU: TRAHGTG12N60A4D

$ 297.00

Descripción El HGTG12N60A4D es un IGBT de canal N de 600 V con diodo hiperveloz antiparalelo. Esta serie SMPS es miembro de la familia IGBT de conmutación de alto voltaje con compuerta MOS. IGBT combina las mejores características de MOSFET y transistores bipolares. Este dispositivo tiene la alta impedancia de...

Transistor H882 Media Potencia
Transistor H882 Media PotenciaSKU: TRAH882

$ 13.00 $ 46.00

Descripción Transistor H882 media potencia diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de potencia de radio frecuencia y conmutación. Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 40 V Voltaje colector emisor VCEO: 30 V Voltaje emisor base VEBO: 5 V Corriente de colector IC: 3 A ...

Transistor H772 Media Potencia
Transistor H772 Media PotenciaSKU: TRAH772

$ 15.00

Descripción Transistor H772 media potencia diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de potencia de audio frecuencia y conmutación. Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -40 V Voltaje colector emisor VCEO: -30 V Voltaje emisor base VEBO: -5 V Corriente de colector IC: -3 A ...