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Transistor IRF9630 Mosfet TO220 CH-P 200 V 6.5 A
Transistor IRF9630 Mosfet TO220 CH-P 200 V 6.5 ASKU: TRAIRF9630

$ 69.00 $ 80.00

Descripción El transistor IRF9630 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRF9630PBF es un MOSFET de potencia de...

Transistor IRF9620 Mosfet TO220 CH-P 200 V 3.5 A
Transistor IRF9620 Mosfet TO220 CH-P 200 V 3.5 ASKU: TRAIRF9620

$ 65.00

Descripción El transistor IRF9620 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRF9620PBF es un MOSFET de potencia de...

Transistor IRF9540 Mosfet TO220 CH-P 100 V 23 A
Transistor IRF9540 Mosfet TO220 CH-P 100 V 23 ASKU: TRAIRF9540

$ 19.00

Descripción El transistor IRF9540 Tipo T es un mosfet de -100V  de canal P de potencia que  proporciona al diseñador con la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño de dispositivos para uso rudo, baja resistencia y costo-efectividad. La resistencia térmica baja contribuye a su amplia aceptación en la industria....

Transistor IRF9530NPBF Mosfet TO220 CH-P 100 V 14 A
Transistor IRF9530NPBF Mosfet TO220 CH-P 100 V 14 ASKU: TRAIRF9530

$ 55.00

Descripción El transistor IRF9530NPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRF9530N es un MOSFET de potencia de...

Transistor IRF9520PBF Mosfet TO220 CH-P 100 V 6.8 A
Transistor IRF9520PBF Mosfet TO220 CH-P 100 V 6.8 ASKU: TRAIRF9520

$ 45.00 $ 95.00

Descripción El transistor IRF9520PBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRF9520PBF es un MOSFET de potencia de...

Transistor IRF9240 Mosfet TO220 CH-P 220 V 11 A
Transistor IRF9240 Mosfet TO220 CH-P 220 V 11 ASKU: TRAIRF9240

$ 180.00 $ 260.00

Descripción El transistor IRF9240 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRF9240 es un MOSFET HEXFET® avanzado de...

Transistor IRF840 Mosfet TO220 CH-N 500 V 8 A
Transistor IRF840 Mosfet TO220 CH-N 500 V 8 ASKU: TRAIRF840

$ 12.00

Descripción El transistor IRF840 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRF840 es un MOSFET de potencia de...

Transistor IRF830 Mosfet TO220 CH-N 500 V 4.5 A
Transistor IRF830 Mosfet TO220 CH-N 500 V 4.5 ASKU: TRAIRF830

$ 52.00

Descripción El transistor  IRF830 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRF830PBF es un MOSFET de SMPS de...

Transistor IRF740FI Mosfet TO220 CH-N 400 V 10 A
Transistor IRF740FI Mosfet TO220 CH-N 400 V 10 ASKU: TRAIRF740FI

$ 37.00

Descripción El transistor IRF740 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRF740FI es un MOSFET de modo de...

Transistor IRF720 Mosfet TO220 CH-N 400 V 3.3 A
Transistor IRF720 Mosfet TO220 CH-N 400 V 3.3 ASKU: TRAIRF720

$ 50.00 $ 86.00

Descripción El transistor IRF720  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Baja resistencia térmica Tecnología de proceso avanzada Clasificación...

Transistor IRF650B Mosfet TO220 CH-N 200 V 28 A
Transistor IRF650B Mosfet TO220 CH-N 200 V 28 ASKU: TRAIRF650B

$ 30.00

Descripción El transistor IRF650B de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRF620PBF es un MOSFET de potencia de...

Transistor IRF644 Mosfet TO220 CH-N 250 V 14 A
Transistor IRF644 Mosfet TO220 CH-N 250 V 14 ASKU: TRAIRF644

$ 53.00

Descripción El transistor IRF644N  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Tecnología robusta de avalancha Tecnología de óxido de...

Transistor IRF640N Mosfet TO220 CH-N 200 V 18 A
Transistor IRF640N Mosfet TO220 CH-N 200 V 18 ASKU: TRAIRF640N

$ 25.00

Descripción El transistor IRF640N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRF640 es un mosfet de  potencia que...

Transistor IRF634 Mosfet TO220 CH-N 250 V 8.1 A
Transistor IRF634 Mosfet TO220 CH-N 250 V 8.1 ASKU: TRAIRF634

$ 54.00 $ 70.00

Descripción El transistor IRF634  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Facilidad de paralelismo Calificación dinámica dv / dt...

Transistor IRF630A Mosfet TO220 CH-N 200 V 9 A
Transistor IRF630A Mosfet TO220 CH-N 200 V 9 ASKU: TRAIRF630

$ 12.00

Descripción El transistor IRF630A de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRF630 es un MOSFET de potencia de...

Transistor IRF6215PBF Mosfet TO220 CH-P 150 V 13 A
Transistor IRF6215PBF Mosfet TO220 CH-P 150 V 13 ASKU: TRAIRF6215PBF

$ 35.00

Descripción El IRF6215PBF es un HEXFET® quinta generación de canal P de potencia. El MOSFET de potencia utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de ON extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona...

Transistor IRF620 Mosfet TO220 CH-N 200 V 5.2 A
Transistor IRF620 Mosfet TO220 CH-N 200 V 5.2 ASKU: TRAIRF620

$ 36.00

Descripción El IRF620PBF es un modo de mejora de canal N de tercera generación. El MOSFET de potencia viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia de ENCENDIDO. El paquete es universalmente preferido para niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W. La...

Transistor IRF540N Mosfet TO220 CH-N 100 V 28 A
Transistor IRF540N Mosfet TO220 CH-N 100 V 28 ASKU: TRAIRF540N

$ 29.00

Descripción El IRF540N  de International Rectifier es un MOSFET de potencia HEXFET de canal único N de 100V en encapsulado TO-220. Este MOSFET tiene una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dv/dt dinámica, conmutación rápida y resistente y, como resultado, una calificación de avalancha total, los MOSFET de...

Transistor IRF530NPBF Mosfet TO220 CH-N 100 V 17 A
Transistor IRF530NPBF Mosfet TO220 CH-N 100 V 17 ASKU: TRAIRF530

$ 35.00

Descripción Transistor mosfet IRF530NPBF de canal N que ofrece la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño de este dispositivos esta echo para uso rudo, baja resistencia y costo-efectividad. El IRF530 es ampliamente utilizado para el control o amplificación de potencia, como interruptor electrónico en circuitos de conmutación de potencia,...

Transistor IRF5210L Mosfet Media Potencia CH-P 100 V 40 A
Transistor IRF5210L Mosfet Media Potencia CH-P 100 V 40 ASKU: TRAIRF5210L

$ 55.00

Descripción Transistor mosfet IRF5210L  HEXFET de quinta generación de International Rectifier que utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr  resistencia extremadamente baja en la conexión por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado que son bien conocidos por, proporcionan...