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$ 29.00
Descripción El RFD14N05LSM es un MOSFET de potencia de canal N fabricado utilizando el proceso MegaFET. Este proceso, que utiliza funciones similares a las de los circuitos integrados LSI, proporciona una utilización máxima de silicio, lo que resulta en un rendimiento sobresaliente. Fueron diseñados para su uso en aplicaciones tales...
$ 23.00
Descripción El transistor RFP10N15 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 22.00
Descripción El transistor RFP14N05L de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 30.00
Descripción El RFP40N10 es un MOSFET de potencia HEXFET® de canal único de 100 V con resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio y rendimiento de conmutación rápida que utiliza tecnología planar avanzada. 175 ° C Temperatura de funcionamiento Clasificación dV / dt dinámica Completamente avalancha clasificada Aplicaciones:...
$ 84.00
Descripción El transistor RFP50N06 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 45.00
Descripción El transistor RFP70N06 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 50.00
Descripción Transistor RJH3044 es un IGBT de conmutación de potencia de alta velocidad para aplicaciones de cambio de potencia de alta velocidad. Conmutación de alta velocidad: tr = 80 ns típ., Tf = 150 ns Baja tensión de saturación de colector a emisor: VCE (sat) = 1,5 V típ Diodo...
$ 35.00
Descripción El transistor bipolar RJH30E2 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto...
$ 64.00
Descripción El transistor bipolar RJP30E2 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...
$ 33.00
Descripción El transistor bipolar RJP30E2DPP-MO de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de compuerta de los transistores de...
$ 95.00
Descripción El transistor bipolar RJP30H1DPD de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...
$ 34.00
Descripción El transistor bipolar RJP30H1DPP-M0 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...
$ 26.00
Descripción El transistor bipolar RJP30H2A de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...
$ 89.00
$ 98.00
Descripción El transistor bipolar RJP30H2DPK-M0 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...
$ 38.00
Descripción El transistor bipolar RJP63F3DPP-M0 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...
$ 46.00
Descripción El transistor bipolar RJP63K2DPP-M0 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...
$ 34.00
Descripción Transistor de potencia S2055N diseñado para su uso en aplicaciones de salida horizontal con diodo damper. Alto voltaje, alta velocidad Bajo voltaje de saturación del colector Diodo damper incorporado Aplicaciones: Salida horizontal de TV en color, regulador de conmutación de TV en color Especificaciones Voltaje colector base VCBO: 1500...
$ 3.00
Descripción Transistor S8050D pequeña señal diseñado para su uso para aplicaciones de amplificación de salida de 2W de radios portátiles en operación Push-pull Clase B. Complementario al SS8550 Aplicaciones: Alta corriente, audio Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector-base VCBO: 40 V Voltaje emisor-colecto VCEO: 25 V Voltaje emisor-base...
$ 3.00
Descripción El transistor S8550C de pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de salida de amplificación de 2W para radios portátiles de clase B y operación Push-Pull. Complemento MPS8050 Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -40 V Voltaje colector emisor VCEO: -25 V Voltaje...
$ 4.00
Descripción Transistor S9012H pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de propósito general. Alta disipación de potencia: 710 mW Baja capacitancia del colector Baja tensión de saturación colector-emisor Capacidad de alta corriente Aplicaciones: Conmutación y amplificación de uso general Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO:...