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Transistor NTD50N03RG Mosfet Pequeña Señal CH N 25 V 45 A
TRANTD50N03RG
Descripción
El transistor NTD50N03RG de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
- Tecnología planar
- RDS bajo (encendido) para minimizar las pérdidas de conducción
- Baja capacitancia para minimizar las pérdidas del controlador
- Carga de puerta optimizada para minimizar las pérdidas de conmutación
Información Básica
- Polaridad: Canal-N
- Voltaje drenaje-fuente VDSS: 25 V
- Voltaje compuerta-fuente VGSS: ± 20 V
- Corriente máxima continua ID: 45 A
- Disipación de potencia máxima PD (TC=25°C): 50 W
- Fuente de drenaje en resistencia VGS RDS(on):12.5 mohm @ 10 V
- Fuente de drenaje en resistencia VGS RDS(on):19 mohm @ 4.5 V
- Temperatura de operación máxima: 175°C
- Encapsulado: TO-252
- 3 pines
Sustituto
No Aplica
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