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Transistor IRG4PC50UPBF Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 27 A

Transistor IRG4PC50UPBF Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 27 A

TRAIRG4PC50

$ 136.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El IRG4PC50UPBF es un IGBT de 600 V ultrarápido entre 8 y 60 kHz. Proceso de conmutación duro optimizado para alta frecuencia de operación. El diseño IGBT de generación 4 proporciona una distribución de parámetros más estricta y una mayor eficiencia que la generación 3. Diodos HEXFRED optimizados para el rendimiento y utilizados en configuraciones de puentes.

El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y  sistemas de alimentación interrumpida, entre otras aplicaciones.

  • Rápido: Optimizado para frecuencias operativas medias (1-5 kHz en conmutación fija,> 20 kHz en modo resonante)
  • El diseño IGBT de la Generación 4 brinda una distribución de parámetros más estrechos  y mayor eficiencia que la Generación 3
  • IGBT empaquetado con HEXFREDTM ultrarrápido, ultra diodos antiparalelos de recuperación suave para usar en configuraciones de puentesP
  • Sin plomo
  • Aplicaciones: Administración de potencia, control de motor  

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Tensión colector emisor V (br) ceo: 600 V
  • Tensión de saturación colector-emisor Vce(on): 2.4 V
  • Corriente de colector DC: 55 A
  • Disipación de potencia Pd: 200 W
  • Temperatura de operación máximo: 150 °C
  • Encapsulado: TO-247AC
  • Número de pines: 3

Sustituto

 No aplica

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