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Transistor IRF830 Mosfet TO220 CH-N 500 V 4.5 A

Transistor IRF830 Mosfet TO220 CH-N 500 V 4.5 A

TRAIRF830

$ 52.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor  IRF830 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRF830PBF es un MOSFET de SMPS de N-canal de 500V con carga de puerta baja Qg resulta en requisito de unidad simple. Funciona a alta frecuencia con una aplicación de conmutación fuerte. Apto para SMPS, fuente de alimentación ininterrumpida y conmutación de energía de alta velocidad. Perfecto para circuitos de alta frecuencia gracias a su bajo tiempo de subida y bajada.

  • Evaluación dinámica dv / dt
  • Avalancha repetitiva
  • 150 ° C Temperatura de funcionamiento
  • Fácil de paralelo
  • Requisito de unidad simple
  • Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo  

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 500 V
  • Tensión Vgs de medición Rds (on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs:  4 V
  • Intensidad drenaje continua Id: 4.5 A
  • Disipación de Potencia Pd: 74 W
  • Resistencia de activación Rds (on) typ: 1.2 ohm
  • Temperatura de operación mínima: -55°C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

Aplicaciones

  • Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS): Por su alta tensión de ruptura (500V) 
  • Drivers de motores: Para controlar la velocidad o dirección de motores 
  • Convertidores DC-DC: Eficiente en la conversión de energía 
  • Conmutación de alta velocidad: Para aplicaciones analógicas y digitales 
  • Controladores de relés y cargas: Manejo de cargas de corriente continua

Sustituto

NTE2398   2SK2876     FQP5N50C    FQP9N50C   KF5N50P   TK5A50D   TK7A50D

Documentación

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