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Transistor IRF1010E Hexfet TO220 CH-N 60 V 84 A

Transistor IRF1010E Hexfet TO220 CH-N 60 V 84 A

TRAIRF1010E

$ 55.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El IRF1010E es un MOSFET de potencia de canal N HEXFET® de alto rendimiento que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de ON extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un funcionamiento extremadamente eficiente y confiable. El paquete es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales industriales a niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W.
El IRF1010E esta diseñado para aplicaciones de conmutación rápida y eficiente de corrientes elevadas (hasta 84 A) y voltajes de hasta 60 V.  Se utiliza principalmente como interruptor electrónico en controladores de motores, inversores, fuentes conmutadas (DC-DC) y relés

 

  • Tecnología avanzada de procesos
  • Valor dinámico dV / dt
  • Totalmente avalancha
  • Alta corriente y voltaje
  • Baja resistencia de encendido
  • Aplicaciones: Automoción, administración de potencia  

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 60 V
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Intensidad drenador continua Id: 84 A
  • Disipación de potencia Pd: 130 W
  • Resistencia de activación Rds(on)  máxima: 0.011 ohm
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Aplicaciones

  • Controlador de motores (CC/Brushless): Maneja corrientes altas para variar la velocidad 
  • Fuentes de alimentación conmutadas:   Eficiente en conversores DC-DC de alta potencia 
  • Automoción y robótca: Ideal para conmutación bipolar, control de relés y cargas pesadas 
  • Inversores de potencia: Aplicaciones industriales y comerciales que requieren rápida conmutación

Sustituto

NTE2996  

Documentación

 

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