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Transistor FDS9435A Mosfet Pequeña Señal CH-P 30 V - 5.3 A 38C7185

Transistor FDS9435A Mosfet Pequeña Señal CH-P 30 V - 5.3 A 38C7185

TRAFDS9435A

$ 25.00 MXN

Precio Regular: $ 48.00
Precio incluye IVA

Descripción


El FDS9435A es un MOSFET canal P de -30V PowerTrench® ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en el estado y mantener una baja carga de compuerta para un rendimiento de conmutación superior. El último MOSFET de potencia de media tensión de Fairchild es un conmutador de potencia optimizado que combina carga de puerta pequeña (QG), pequeña carga de recuperación inversa (Qrr) y diodo del cuerpo de recuperación inversa suave, que contribuye a la conmutación rápida para rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA/CD. Emplea una estructura de puerta blindada que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (figura de mérito (QGxRDS (ON))) de estos dispositivos es 66% más bajo que el de la generación anterior. El rendimiento del diodo del cuerpo blando del nuevo MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito de amortiguamiento o reemplazar el voltaje más alto. El MOSFET necesita un circuito porque puede minimizar los pico.

  • Carga de compuerta baja
  • Velocidad de conmutación rápida
  • Trench techno de alto rendimiento
  • Alta potencia y capacidad de manejo actual
  • Aplicaciones: Administración de energía, interruptor de carga, protección de batería

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal P
  • Voltaje de drenaje a fuente Vds: -30 V
  • Voltaje de puerta a fuente: ± 25 V
  • Corriente continua de drenaje Id: -5.3 A
  • Corriente de drenaje pulsada: -50 A
  • Corriente de avalancha: 8 A
  • Disipación de potencia Id: 2.5 W
  • Resistencia de activación Rds(on): 0.042 ohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión de umbral Vgs: 1.7 V
  • Temperatura de funcionamiento mínima:  -55 °C
  • Temperatura de funcionamiento máxima:  175 °C
  • Encapsulado: SOIC
  • Número de pines: 8

Sustituto

No Aplica

Documentación

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