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Transistor 30F124 Mosfet IGBT TO220 300 V 200 A

Transistor 30F124 Mosfet IGBT TO220 300 V 200 A

TRA30F124

$ 36.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor 30F124 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El transistor 30F124 Mosfet es utilizado para la circuitería de accionamiento de los paneles de visualización de plasma (PDP), sin embargo, recientemente, los IGBT se usan comúnmente en aplicaciones de corriente grandes debido a su capacidad superior de conducción de corriente.

  • Tipo IGBT
  • De alta corriente
  • Aplicaciones: Pantallas de plasma

Especificaciones

  • Polaridad de transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 300 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 200 A
  • Disipación de potencia PD (Tc=25°C): 25 W
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220F
  • Número de pines: 3

Aplicaciones

  • Cocinas de inducción: Controla los campos magnéticos de alta frecuencia para generar calor
  • Controladores de motores. Usado para regulación y automatización de velocidad y torque
  • Pantallas de plasma (PDP): Utilizado en la circuitería de accionamiento de los paneles
  • Flashes estroboscópicos: Empleado para la rápida descarga de energía y destellos de luz
  • Inversores y UPS: Esencial en sistemas de conversión de energía y fuentes de alimentación ininterrumpida

Sustituto

No Aplica

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