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Semiconductores
$ 38.00
Descripción El circuito M51995A es el controlador del regulador de conmutación primario que está especialmente diseñado para obtener el voltaje de CC regulado de la fuente de alimentación de CA.Este IC puede conducir directamente el MOS-FET con un pulso de salida rápido de subida y caída rápida. unidad, sino también...
$ 65.00
Descripción El circuito M51995FP es el controlador del regulador de conmutación primario que está especialmente diseñado para obtener el voltaje de CC regulado de la fuente de alimentación de CA.Este IC puede conducir directamente el MOS-FET con un pulso de salida rápido de subida y caída rápida. unidad, sino también...
$ 60.00
Descripción Circuito Integrado M51996P diseñado para su uso como regulador de control de switcheo. Especificaciones Suministro de voltaje máximo: 31 V Disipación de potencia: 1.5 W Temperatura de operación mínima: -20°C Temperatura de operación máxima: 65°C Encapsulado DIP 14 pines Sustituto No aplica Documentación Datasheet
$ 55.00
Descripción Circuito Integrado M52030ASP diseñado para su uso como procesador de señal NTSC para televisión de color. Especificaciones Suministro de voltaje máximo: 9 V Disipación de potencia: 1.35 W Temperatura de operación mínima: -20°C Temperatura de operación máxima: 65°C Encapsulado DIP 52 pines Sustituto No Aplica Documentación Datasheet
$ 28.00
Descripción Circuito Integrado M52055P diseñado para su uso como interruptor análogo de 3 canales. Especificaciones Suministro de voltaje máximo: 14 V Disipación de potencia: 1000 mW Temperatura de operación mínima: -20°C Temperatura de operación máxima: 75°C Encapsulado DIP 16 pines Sustituto NTE7110 Documentación Datasheet
$ 38.00
Descripción Circuito Integrado M5218A diseñado para su uso como amplificador operacional doble. Especificaciones Suministro de voltaje máximo: 7 V Disipación de potencia: 200 mW Temperatura de operación mínima: -30°C Temperatura de operación máxima: 70°C Encapsulado DIP 8 pines Sustituto No aplica Documentación Datasheet
$ 38.00
Descripción Circuito Integrado M5218AL diseñado para su uso como amplificador operacional doble. Especificaciones Suministro de voltaje máximo: 7 V Disipación de potencia: 200 mW Temperatura de operación mínima: -30°C Temperatura de operación máxima: 70°C Encapsulado SIP 8 pines Sustituto NTE778S BA15218N NJM4580L Documentación Datasheet
$ 35.00
$ 70.00
Descripción Circuito Integrado M5226P diseñado para su uso como preamplificador CEQ gráfico. Especificaciones Suministro de voltaje máximo:20 V Disipación de potencia: 1000 mW Temperatura de operación mínima: -20°C Temperatura de operación máxima: 75°C Encapsulado DIP 16 pines Sustituto No Aplica Documentación Datasheet
$ 88.00
Descripción Circuito Integrado M52303ASP diseñado par su uso como procesador de señal NTSC para televisión de color. Especificaciones Encapsulado DIP 52 pines Sustituto No Aplica Documentación Datasheet
$ 35.00
$ 70.00
Descripción Circuito Integrado M5230L. Regulador de voltaje doble de salida variable (tipo tracking). Especificaciones Encapsulado SIP 8 pines Sustituto NTE7090 Documentación Datasheet
$ 58.00
$ 100.00
Descripción Circuito Integrado M52335SP diseñado para su uso como procesador de señal NTSC para televisión de color. Especificaciones Suministro de voltaje máximo: 9 V Disipación de potencia: 1.35 W Temperatura de operación mínima: -20°C Temperatura de operación máxima: 65°C Encapsulado DIP 52 pines Sustituto No Aplica Documentación Datasheet
$ 54.00
Descripción Circuito Integrado M52339SP diseñado para su uso como procesador de señal NTSC para televisión de color. Especificaciones Suministro de voltaje máximo: 9 V Disipación de potencia: 1.35 W Temperatura de operación mínima: -20°C Temperatura de operación máxima: 65°C Encapsulado DIP 52 pines Sustituto No Aplica Documentación Datasheet
$ 450.00
Descripción Circuito Integrado M52440ASP. Termi ASP. Especificaciones Encapsulado DIP 24 pines Sustituto No Aplica Documentación No Aplica
$ 25.00
Descripción Circuito Integrado M5290P diseñado para su uso como regulador de seguimiento de 5 V con reinicio. Especificaciones Voltaje pico: 100 V Disipación de potencia: 475 mW Temperatura de operación mínima: -55°C Temperatura de operación máxima: 175°C Encapsulado DIP 16 pines Sustituto No Aplica Documentación Datasheet
$ 43.00
Descripción Circuito Integrado M54519P diseñado para su uso en aplicaciones de acarreo darlington 400 mA. Especificaciones Suministro de voltaje máximo: 40 V Disipación de potencia: 1.47 W Temperatura de operación mínima: -20°C Temperatura de operación máxima: 75°C Encapsulado DIP 16 pines Sustituto NTE2079 Documentación Datasheet
$ 65.00
$ 105.00
Descripción Circuito Integrado M54522FP diseñado para su uso en aplicaciones de matrices de transistores Darlington de ocho circuitos con diodos clampingn. Los circuitos están hechos de transistores NPN. Ambos circuitos integrados de semiconductores realizan una conducción de alta corriente con un suministro de corriente de entrada extremadamente baja. Alto voltaje...
$ 120.00
$ 184.00
Descripción Circuito Integrado M54523 que consta de arreglos Darlington de alto voltaje y alta tensión. Se compone de siete pares NPN Darlington de silicio en una subunidad monolítica común donde todas las unidades tienen salidas de colector abierto y diodos integrales para supresores transitorios de carga inductiva. Especificaciones Voltaje de...
$ 40.00
$ 65.00
Descripción Circuito Integrado M54524. Transistor de acarreo darlington de 500 mA con diodo. Especificaciones Encapsulado DIP 16 pines Sustituto NTE 2011 Documentación Datasheet
$ 45.00
$ 80.00
Descripción Circuito Integrado M54525P diseñado para su uso en aplicaciones de acarreo Darlignton de 500 mA con diodo. Especificaciones Encapsulado DIP 16 pines Sustituto NTE2012 ULN2002 Documentación Datasheet
$ 40.00
Descripción Circuito Integrado M54543 es un semiconductor capaz de conducir directamente un motor bidireccional de tamaño pequeño para rotación hacia adelante / atrás. Amplio rango de voltaje de funcionamiento (Vcc = 4V a 16V) Capacidad de accionamiento directo por salidas TTL, PMOS y CMOS Voltaje de saturación de salida bajo...