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$ 146.00
Descripción El transistor STF11NM80 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 145.00
Descripción El STGW20NC60VD es un IGBT muy rápido de 600V que utiliza el proceso avanzado Power MESH™, lo que resulta en una excelente compensación entre el rendimiento de conmutación y el comportamiento de bajo estado de encendido. Es adecuado para su uso con inversores de alta frecuencia, UPS, accionamiento de...
$ 32.00
Descripción El transistor STH10N60FI de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
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Descripción El transistor STP3N60F1 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...