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Semiconductores
$ 12.00
$ 14.00
Descripción Transistor 2SC9012 de pequeña señal es un BJT tipo PNP de uso general diseñado para aplicaciones de amplificación de audio de baja potencia y conmutación. Funciona excelente para controlar pequeñas cargas como relés, luces LED y motores pequeños, siendo ideal para dispositivos portátiles debido a su alta ganancia y...
$ 7.00
$ 10.00
Descripción Transistor 2SC9015 de pequeña es un componente BJT de tipo PNP diseñado principalmente para aplicaciones de amplificación de señales de audio de baja frecuencia y bajo ruido, asi como la conmutación de baja potencia. Es ideal para preamplificadores, etapas de audio y control de cargas pequeñas Para voltaje de...
$ 120.00
Descripción Transistor 2SC937 de potencia diseñado para alta tensión, alta velocidad, conmutación de potencia en circuitos inductivos donde el tiempo de caída es crítico. Aplicaciones: Reguladores de conmutación, inversores PWM, solenoides y controladores de relé Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 500 V Voltaje emisor base VEBO:...
$ 65.00
Descripción Transistor 2SC940 de potencia. Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 200 V Corriente colector DC Ic: 5 A Disipación colector Pc (Tc=25°C): 50 W Frecuencia de transición ft:: 25 MHz Temperatura de funcionamiento mínima: -65°C Temperatura de funcionamiento máxima: 150°C Encapsulado: TO-3 2 pines Sustituto...
$ 5.00
Descripción Transistor 2SC941 pequeña señal diseñado para su uso como amplificador de audio. Aplicaciones: Amplificador de alta frecuencia, amplificador de alta frecuencia AM, convertidor de frecuencia AM Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 35 V Voltaje colector emisor VCEO: 30 V Voltaje emisor base VEBO: 4...
$ 9.00
Descripción El transistor 2SC945 de pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de la etapa de manejo del amplificador AF y conmutación de baja velocidad. Voltaje colector-emisor: BVCBO = 50V Corriente del colector hasta 150mA Alta linealidad hFE Complemento 2SA733 Aplicaciones: Amplificador de audio de alta frecuencia OSC Información...
$ 9.00
Descripción Transistor 2SC982 pequeña señal diseñado para su uso como amplificador de baja frecuencia. Con darlington Aplicaciones: Controlador de impresora, controlador de núcleo y controlador led Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 40 V Voltaje colector emisor VCEO: 40 V Voltaje emisor base VEBO: 10 V...
$ 49.00
$ 58.00
Descripción Transistor 2SD1027 de potencia diseñado para su uso como interruptor de alto voltaje y amplificador de potencia. PSW / D / DDC Con darlington Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector a base VCBO: 200 V Voltaje colector a emisor VCEO: 200 V Voltaje emisor a base VEBO: 7 V...
$ 39.00
Descripción Transistor 2SD1044 potencia diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación. Con darlington Alta ganancia de corriente DC Aplicaciones: Diseñado para amplificadores de alta potencia Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector a base VCBO: 100 V Voltaje colector a emisor VCEO: 80 V Voltaje emisor a...
$ 39.00
Descripción Transistor 2SD1047 NPN fabricado con la nueva tecnología BiT-LA (transistor bipolar para amplificador lineal) El transistor resultante muestra un buen comportamiento de linealidad de ganancia. Complemento 2SB817 Alto voltaje de ruptura VCEO = 140 V Ft = 20 MHz Totalmente caracterizado a 125°C Aplicaciones: Fuente de alimentación Información Básica...
$ 21.00
Descripción: Transistor 2SD1052 Tipo T diseñado para su uso como amplificador de potencia de frecuencia de audio. Mayor ganancia de corriente DC Bajo voltaje de saturación Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO; 50 V Voltaje colector emisor VCEO: 50 V Voltaje emisor base VEBO: 7 V...
$ 53.00
Descripción Transistor 2SD1063 potencia diseñado para su uso en aplicaciones de PSW / D / DDC. Complemento 2SB827 Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 60 V Voltaje de colector emisor VCEO: 50 V Voltaje emisor base VEBO: 6 V Corriente colector Ic: 7 A Disipación colector...
$ 60.00
Descripción Transistor 2SD1064 potencia diseñado para su uso para aplicaciones de conmutación. Aplicaciones: Controladores de relé, inversores de alta velocidad, convertidores y otras conmutaciones generales de alta corriente Información Básica Polaridad del transistor:NPN Voltaje colector a base VCBO: 60 V Voltaje colector a emisor VCEO: 50 V Voltaje emisor a...
$ 58.00
Descripción Transistor 2SD1065 potencia diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación. Bajo voltaje de saturación ASO amplio que conduce a una ruptura de alta resistencia Aplicaciones: Controladores de relé, inversores de alta velocidad, convertidores y otras conmutaciones generales de alta corriente Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector...
$ 58.00
$ 68.00
Descripción El 2SD1090 es un transistor de silicio NPN de 200 V de triple difusión (proceso PCT) diseñado para su uso en aplicaciones del regulador de potencia de TV en color. Alta capacidad de disipación de energía del colector Alta ganancia de corriente DC Alto voltaje Aplicaciones: Regulación de potencia...
$ 58.00
$ 69.00
Descripción Transistor 2SD1092 potencia diseñado para su uso como regulador de poder con proceso PCT para TV operada en línea. Alta ganancia de corriente DC Con diodo avalancha Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector a base VCBO: 55 V Voltaje colector a emisor VCEO: 55 V Voltaje emisor...
$ 9.00
$ 15.00
Descripción Transistor 2SD1111 de pequeña señal diseñado para aplicaciones de conmutación. Con darlington integrado Alta ganancia de corriente DC Gran capacidad de corriente y amplio ASO Bajo voltaje de saturación Aplicaciones: Controladores de relé, inversores de alta velocidad, convertidores y otras conmutaciones generales de alta corriente Información Básica Polaridad del...
$ 19.00
$ 29.00
Descripción: Transistor 2SD1138 diseñado para su uso como amplificador de desviación vertical de TV de alta frecuencia y de baja tensión. Complemento 2SB861 Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 200 V Voltaje colector emisor VCEO: 150 V Voltaje emisor base VEBO: 6 V Corriente colector Ic:...
$ 20.00
$ 27.00
Descripción El 2SD11644 es un transistor de media potencia NPN de silicio. Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector base VCBO: 150 V Voltaje colector emisor VCEO: 60 V Voltaje emisor base VEBO: 8 V Disipación de potencia Pd: 2 W Corriente de colector IC: 2 A Temperatura...
$ 62.00
Descripción Transistor 2SD1173 potencia diseñado para su uso como salida deflexión horizontal operado por linea. Con darlington Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector a base VCBO: 1500 V Voltaje colector a emisor VCEO: 1500 V Voltaje emisor a base VEBO: 5 V Corriente colector Ic: 3 A Disipación...