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Semiconductores
$ 32.00
Descripción Transistor 2SB1050 pequeña señal BJT diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de baja frecuencia. Voltaje de saturación de colector a emisor bajo VCE (sat) Corriente de colector grande Aplicaciones: Amplificación Información Básica Tipo: BJT Polaridad: PNP Voltaje colector base VCBO: -30 V Voltaje colector emisor VCEO: -20...
$ 9.00
Descripción Transistor 2SB1136 Tipo T para aplicaciones de controladores de relé, inversores de alta velocidad, convertidores y otras conmutaciones generales de alta corriente. Aplicaciones: Controlador de relé, inversores de alta velocidad, convertidor y conmutación general de alta corriente Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje de colector base VCBO: -60...
$ 35.00
Descripción Transistor 2SB1156 de potencia diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de energía. Complemento 2SD1707 Voltaje de saturación de colector bajo a emisor VCE (sat) Linealidad satisfactoria de la relación de transferencia de corriente hacia adelante hFE Gran colector de corriente IC Información Básica Polaridad: PNP Voltaje colector...
$ 8.00
Descripción Transistor 2SB1202 media potencia diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de alta corriente. Adopción de procesos FBET, MBIT Gran capacidad de corriente y amplio ASO Baja tensión de saturación de colector a emisor Velocidad de conmutación rápida Aplicaciones: Reguladores de voltaje, controladores de relés, controladores de lámparas,...
$ 28.00
$ 42.00
Descripción Transistor 2SB1223 Tipo T diseñado para su uso en aplicaciones de control de motores, impresoras, controladores de martillo y reguladores de voltaje constante. Darlington Alta ganancia de corriente CC Gran capacidad de corriente y ASO amplio Aplicaciones: Controladores de motor, controladores de los martillo de impresora y reguladores de...
$ 49.00
$ 70.00
Descripción Transistor 2SB1236 pequeña señal. Alto voltaje de ruptura Alta frecuencia de transición Baja capacidad de salida del colector Complemento 2SD1857/2sD1763 Información Básica Polaridad: PNP Voltaje colector base VCBO: -120 V Voltaje colector emisor VCEO: -120 V Voltaje emisor base VEBO: -5 V Corriente colector Ic: -1. 5 A Disipación...
$ 14.00
Descripción Transistor 2SB1240TV2Q pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de media potencia. Complemento 2SD1758/2SD1862 Especificaciones Polaridad: PNP Voltaje colector base VCBO: -40 V Voltaje colector emisor VCEO: -32 V Voltaje emisor base VEBO: -5 V Corriente colector Ic: -2 A Disipación colector Pc (Tc=25°C): 10 W Temperatura de...
$ 19.00
$ 35.00
Descripción Transistor 2SB1243Q pequeña señal. Complemento 2SD1760/2SD1864 Información Básica Polaridad: PNP Voltaje colector base VCBO: -60 V Voltaje colector emisor VCEO: -50 V Voltaje emisor base VEBO: -5 V Corriente colector Ic: -3 A Disipación colector Pc (Tc=25°C):15 W Temperatura de operación mínima: -55°C Temperatura de operación máxima: 150°C Encapsulado:...
$ 16.00
$ 25.00
Descripción Transistor 2SB1273 de silicio en un paquete tipo TO-220 diseñado para amplificación y conmutación de potencia de uso general Aplicaciones: Conmutación Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje de colector base VCBO: 80 V Voltaje colector emisor VCEO: 60 V Voltaje emisor base VEBO: 5 V Corriente colector Ic:...
$ 13.00
Descripción Transistor 2SB1274 Tipo T diseñado para su uso como amplificador de poder de baja frecuencia y para uso general. Bajo voltaje de saturación Alta fiabilidad Alto voltaje de ruptura Aplicaciones: Amplificador de potencia de baja frecuencia de 60 V / 3 A Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje...
$ 45.00
Descripción Transistor 2SB1284 de silicio en un paquete tipo TO220 diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación.. Aplicaciones: Conmutación Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje de colector base VCBO: 100 V Voltaje colector emisor VCEO: 100 V Voltaje emisor base VEBO: 6 V Corriente colector Ic: 5 A...
$ 20.00
$ 25.00
Descripción Transistor 2SB1299 de silicio en un paquete tipo TO-220 diseñado para amplificación y conmutación de potencia de uso general Aplicaciones: Conmutación Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje de colector base VCBO: 80 V Voltaje colector emisor VCEO: 80 V Voltaje emisor base VEBO: 5 V Corriente colector Ic:...
$ 19.00
$ 30.00
Descripción Transistor 2SB1340 Tipo T diseñado para su uso en aplicaciones de poder. Con darlington Complemento 2SD1889 Alta ganancia de corriente CC Resistencia incorporada entre la base y el emisor Diodo damper integrado Información Básica Polaridad: PNP Voltaje colector base VCBO: -120 V Voltaje colector emisor VCEO: -120 V Voltaje...
$ 16.00
$ 25.00
Descripción Transistor 2SB1342 de silicio Darlington en un paquete tipo TO220 diseñado para amplificadores de uso general y aplicaciones de conmutación de baja velocidad. Aplicaciones: Conmutación Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje de colector base VCBO: 100 V Voltaje colector emisor VCEO: 100 V Voltaje emisor base VEBO: 5...
$ 15.00
$ 19.00
Descripción Transistor 2SB596 de silicio en un paquete tipo TO-220 diseñado para amplificación y conmutación de potencia de uso general, como etapas de salida o de controlador. en aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia Aplicaciones: Conmutación Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje de colector base...
$ 18.00
$ 25.00
Descripción Transistor 2SB1370 Tipo T diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación y conmutación de potencia de propósito general, Bajo voltaje de saturación del colector Amplia área de operación segura Velocidad alta de conutación Aplicaciones: Etapas de salida o de controlador en aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores y...
$ 59.00
$ 75.00
Descripción 2SB1429 potencia es un transistor complementario de silicio PNP de -200V diseñado para su uso en aplicaciones de la etapa de salida del amplificador de frecuencia de audio de alta fidelidad de 100 W. Salida de potencia de audio Voltaje de colector-base (Vcb = 200V) Voltaje de emisor-base...
$ 86.00
Descripción El transistor 2SB1470 de triple difusión con darlington diseñado para su uso en aplicaciones de amplificador de potencia. Óptimo para salida de 120 W Hi-Fi Alta relación de transferencia de corriente directa hFE Bajo voltaje de saturación del colector al emisor VCE (sat) Complemento del 2SD2222 Aplicaciones: Audio...
$ 43.00
Descripción Transistor 2SB1492 potencia diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación. Con darlington Complemento 2SD2254 Optimo para salida HiFi de 60 W Alta relación de transferencia de corriente directa hFE Voltaje bajo de colector a emisor de saturación Aplicaciones: Amplificación Información Básica Polaridad: PNP Voltaje colector a base VCBO: ...
$ 12.00
Descripción Transistor 2SB1548 Tipo T diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de poder. Alta relación de transferencia de corriente directa hFE que tiene una linealidad satisfactoria Bajo voltaje de saturación del colector al emisor VCE (sat) Complemento 2SD2374 y 2SD2374A Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje...