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Semiconductores
$ 138.00
Descripción El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la...
$ 450.00
Descripción El 2N3899 es un SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y...
$ 43.00
Descripción El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la...
$ 6.00
Descripción El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la...
$ 22.00
Descripción El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la...
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Descripción El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la...
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Descripción El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la...
$ 125.00
Descripción El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la...
$ 310.00
Descripción El S4055R es un SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y...
$ 550.00
Descripción El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la...
$ 115.00
Descripción El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la...
$ 24.00
Descripción El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la...
$ 19.00
$ 27.00
Descripción El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la...
$ 23.00
Descripción Switch electrónico de corriente directa útil para interrumpir y/o continuar la corriente de alimentación de un dispositivo. Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas, una de ellas es su utilización como INTERRUPTOR estático ofreciendo muchas ventajas sobre los interruptores mecánicos convencionales y los relés. Funciona como...
$ 30.00
$ 45.00
Descripción Circuito Integrado SDA3202 diseñado para su so como programable PLL 1.3 Ghz. Bajo consumo de corriente Transmisión de mensajes a través del bus I2C La frecuencia de salida de preescala está libre de radiación de interferencias Especificaciones Suministro de voltaje mínimo: -0.3 V Suministro de voltaje máximo: 6 V Frecuencia:...
$ 30.00
Descripción Circuito Integrado SDA3202-3 diseñado para su uso como circuito digital programable PLL 1.3 Ghz. Bajo consumo de corriente Transmisión de mensajes a través del bus I2C La frecuencia de salida de preescala está libre de radiación de interferencias Especificaciones Suministro de voltaje mínimo: -0.3 V Suministro de voltaje máximo:...
$ 20.00
Descripción Circuito integrado SE105 diseñado para su uso como amplificador de error. Información Básica Voltaje colector tierra VCGO: 150 V Detección de salida Voltaje VS (V ): 105.2±0.8 Corriente colector: 20 mA Temperatura de funcionamiento mínima: -20°C Temperatura de funcionamiento máxima: 125°C Encapsulado: TO-220 3 pines Sustituto No Aplica Documentación...
$ 20.00
Descripción Circuito Integrado SE110 diseñado para su uso como amplificador de voltaje de error de 110.2 V. Especificaciones Voltaje colector a tierra: 150 V Corriente colector: 20 mA Temperatura de operación mínima: -20°C Temperatura de operación máxima: 125°C Encapsulado SIP 8 pines Sustituto NTE7215 Documentación Datasheet
$ 21.00
Descripción Circuito Integrado SE120N diseñado para su uso como amplificador de error 120.2 V. Especificaciones Voltaje colector tierra VCGO: 150 V Corriente colector: 20 mA Temperatura de funcionamiento mínima: -20°C Temperatura de funcionamiento máxima: 125°C Encapsulado TO-220 3 pines Sustituto NTE7216 Documentación Datasheet
$ 21.00
Descripción Circuito Integrado SE125N diseñado para su uso como amplificador de error 125.2 V. Especificaciones Voltaje colector tierra VCGO: 150 V Corriente colector: 20 mA Temperatura de funcionamiento mínima: -20°C Temperatura de funcionamiento máxima: 125°C Encapsulado TO-220 3 pines Sustituto No Aplica Documentación Datasheet