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Semiconductores
$ 86.00
Descripción El transistor STW12NK90Z de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 114.00
Descripción El transistor STW18N60M2 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 164.00
$ 190.00
Descripción El transistor STW20NK50Z de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 260.00
Descripción El transistor STW20NM60FD de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 117.00
Descripción El transistor STW34NB20 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
Agotado
$ 48.00
$ 65.00
Descripción El transistor SUB40N06-25L de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 120.00
$ 148.00
Descripción El transistor SUD50P04-15-E3 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 35.00
Descripción El transistor SUP65P06-20 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 24.00
Descripción El transistor SUP75N06-08 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 24.00
Descripción El transistor SUP85N06-05 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
Agotado $ 75.00
Descripción El mpsfet SVF18N60F es un transistor de efecto de campo MOS de potencia de modo de mejora de canal N que se produce utilizando la tecnología VDMOS de estructura F-CellTM propiedad de Silan. El proceso mejorado y la estructura de la celda se han diseñado especialmente para minimizar la...
$ 23.00
Descripción El transistor SW730 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 35.00
$ 47.00
Descripción Transistor T8889 Tipo T. Información Básica Encapsulado TO-220F 3 pines Sustituto No Aplica Documentación No Aplica
$ 35.00
$ 46.00
Descripción Transistor TH2140LS Tipo T. Información Básica Polaridad: NPN Voltaje: 800 V Corriente: 6 A Disipación: 30 W Encapsulado TO-220 3 pines Sustituto NTE2640 2SD2627 TT2140 TT2190 Documentación Datasheet
$ 23.00
Descripción Transistor TH2190 Tipo T de salida horizontal. Especificaciones EncapsuladoTO-220F 3 pines Sustituto No Aplica Documentación No Aplica
$ 26.00
Descripción El TIP101G es un transistor darlington de 8A con polaridad NPN de potencia y bipolar, diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de uso general y de conmutación de baja velocidad. Darlington Construcción monolítica con resistencias de derivación base-emisor incorporadas Aplicaciones: Industrial, administración de potencia Información Básica...
$ 10.00
Descripción Transistor TIP102, epitexial de silicio 100V con polaridad NPN y darlington diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de potencia y conmutación. Cuenta con construcción monolítica con resistencias en derivación base-emisor. Alta ganancia de corriente continua (hFE = 1000 a VCE = 4V, IC = 3A mínimo) 100V...
$ 43.00
Descripción El TIP107 es un transistor de potencia diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de propósito general y aplicaciones de conmutación de baja velocidad. Diodo colector-emisor integrado anti paralelo Alta ganancia de corriente DC hFE Complemento del TIP100/101/102 Aplicaciones: Industrial, administración de potencia, audio, procesado de señal, control de...
$ 29.00
$ 35.00
Descripción Transistor TIP112 con darlington diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de propósito general y aplicaciones de conmutación de baja velocidad. Alta ganancia de corriente continua Con Darlington Bajo voltaje de saturación de colector emisor Complemento TIP115, TIP116, TIP117 Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje...
$ 18.00
Descripción El TIP116 es un transistor diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de propósito general y para aplicaciones de conmutación de baja velocidad. Alta ganancia de corriente CC: hFE = 1000 @ VCE = -4V, IC = -1A (mín.) Voltaje de saturación colector-emisor bajo Uso industrial Complementos TIP110...