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Semiconductores
$ 48.00
Descripción Transistor 2SD869T potencia diseñado para su uso en aplicaciones de salida deflexión horizontal para TV a color. Con diodo Damper Alta velocidad Bajo voltaje de saturación Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector baser VCBO: 1500 V Voltaje colector emisor VCEO: 600 V Voltaje emisor base VEBO: 5...
$ 41.00
Descripción Transistor 2SD870 potencia diseñado para su uso en aplicaciones de desviación horizontal para televisor de color grandes. Alto voltaje Alta velocidad de conmutación Con diodo damper integrado Bajo voltaje de saturación Alta velocidad Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 1500 V Voltaje colector emisor VCEO:...
$ 55.00
$ 62.00
Descripción Transistor 2SD871 potencia diseñado para su uso en aplicaciones de deflexión horizontal para televisor a color. Con diodo Damper integrado Alto voltaje VCBO Bajo voltaje de saturación Alta velocidad Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 1500 V Voltaje colector emisor VCEO: 600 V Voltaje emisor...
$ 13.00
Descripción Transistor 2SD880 Tipo T usado para su uso en aplicaciones de amplificación de potencia de audio frecuencia. Buena linealidad de hFE Amplificador / interruptor de audio Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 60 V Voltaje colector emisor VCEO: 90 V Voltaje emisor base VEBO: ...
$ 29.00
Descripción Transistor 2SD882P media potencia diseñado para su uso en aplicaciones de amplificadores de potencia y circuitos de conmutación. Alta corriente Baja tensión de saturación Complemento a 2SB772 Aplicaciones: Regulación de voltaje, relé, interruptor genérico, amplificador de potencia de audio, convertidor DC-DC Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector...
$ 31.00
Descripción Transistor 2SD917 de potencia diseñado para su uso en aplicaciones de alto voltaje, alta conmutación y alta corriente. Alta velocidad de conmutación Aplicaciones: Salida de deflexión horizontal Información Básica Polaridad del transistor: Canal-N Voltaje colector base VCBO: 330 V Voltaje colector emisor VCEO: 200 V Voltaje emisor base VEBO: 6V...
$ 28.00
Descripción Transistor 2SD921 potencia diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de potencia de uso general. Ultra alta β Excelente linealidad en hFE Excelente área de operación segura Alta confiabilidad Aplicaciones: Color y B / N, fuente de alimentación de TV , filtro de alimentación activa , Fuente de...
$ 5.00
Descripción Transistor 2SD965 pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de potencia de baja frecuencia y estroboscopio. Colector de baja tensión de saturación de emisor VCE(sat) Rendimientos satisfactorios de la operación con alta eficiencia con lafuente de alimentación de bajo voltaje Información Básica Polaridad del transistor: NPN...
$ 19.00
Descripción Transistor 2SD970 Tipo T diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de poder y velocidad media. Complemento 2SB971 Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 120 V Voltaje colector emisor VCEO: 120 V Voltaje emisor base VEBO: 7 V Corriente colector Ic: 8 A Disipación...
$ 19.00
$ 25.00
Descripción Transistor 2SD972 Tipo T diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de la carga L de un controlador de motor, martillo, relé, etc. Diodo damper Diodo Zener Alta ganancia de corriente DC Gran capacidad de corriente y ASO amplio Contiene diodo de avalancha de 60 ± 10 V...
$ 17.00
Descripción Transistor 2SD973 pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de potencia de baja frecuencia. Bajo voltaje de saturación del colector al emisor VCE (sat) Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector base VCBO: 30 V Voltaje colector emisor VCEO: 25 V Voltaje emisor base VEBO: 5 V...
$ 16.00
$ 22.00
Descripción Transistor 2SD985 media potencia diseñado para su uso en circuitos integrados sin precontrolador, como los martillos de impresoras. Alta ganancia de corriente DC Bajo voltaje de saturación del colector Darlington Complemento 2SB794/2SB795 Información Básica Polaridad del transistor: NPN oltaje colector base VCBO: 150 V Voltaje colector emisor VCEO: 60...
$ 55.00
$ 59.00
Descripción Transistor mosfet 2SJ112 potencia. El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los...
$ 125.00
$ 195.00
Descripción Transistor FET 2SJ162 potencia diseñado para su uso como amplificador de potencia de baja frecuencia. Baja frecuencia Complemento 2SK1056, 2SK1057 y 2SK1058 Buena característica de frecuencia Conmutación de alta velocidad Amplia área de operación segura Modo de mejora Buenas características complementarias Equipado con diodos de protección de compuerta Aplicaciones: Amplificador...
$ 21.00
Descripción Transistor mosfet 2SJ598 pequeña seña de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores...
$ 195.00
$ 250.00
Descripción Transistor mosfet 2SK1058 de potencia de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores...
$ 33.00
Descripción Transistor mosfet 2SK1102 Tipo T de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales...
$ 37.00
Descripción Transistor mosfet 2SK1118 Tipo T de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores...
$ 42.00
Descripción Transistor mosfet 2SK1120 de potencia. de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores...
$ 43.00
Descripción Transistor mosfet 2SK1153 Tipo T de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...