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Proyectos y Robótica
$ 60.00
$ 89.00
Descripción Semiconductor NTE2570 es un transistor diseñado para su uso como switch de alta corriente. Su complemento es NTE2571 Voltaje de saturación colector-emisor bajo Capacidad de alta corriente Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 90 V Voltaje colector emisor VCEO: 80 V Voltaje emisor...
$ 50.00
$ 78.00
Descripción Semiconductor NTE2631 es un circuito integrado diseñado para su uso como controlador de línea diferencial cuádruple construido con procesamiento Schottky avanzado de baja potencia en un paquete tipo DIP de 16 derivaciones diseñado para la transmisión de datos digitales a través de líneas balanceadas. Este dispositivo cumple con todos...
$ 164.00
$ 300.00
Descripción Semiconductor NTE266 es un transistor diseñado para su uso como amplificador de potencia darlingotn. Relación de transferencia de corriente directa: hFE = 40.000 min Disipación de energía: 1,33 W Free – Air @ TA = + 50 ° C Montaje con soldadura dura Aplicaciones: Controlador, controlador IC, regulador,...
$ 95.00
$ 190.00
Descripción Semiconductor NTE27 es un tansistor de alta corriente diseñado para su uso como amplificador de alta ganancia. El NTE27 es un transistor de potencia de germanio PNP diseñado para aplicaciones de alta corriente que requieren voltajes de alta ganancia y baja saturación. Alta corriente Alta ganancia Aplicaciones: Amplificador...
$ 99.00
Descripción El NTE278 es un transistor NPN de silicio en un paquete tipo TO39 diseñado específicamente para aplicaciones de banda ancha que requieren buena linealidad. Se puede utilizar como interruptor de modo de corriente de alta frecuencia a 200 mA. Figura de bajo ruido: NF = 3.0dB Typ @...
$ 95.00
$ 190.00
Descripción El NTE29 (NPN) y NTE30 (PNP) son transistores de potencia complementarios en una carcasa tipo TO3 diseñados para su uso en aplicaciones de circuitos de conmutación y amplificadores de alta potencia. El NTE29 (NPN) y NTE30 (PNP) son transistores de potencia complementarios en una carcasa tipo TO3 diseñados para...
$ 85.00
$ 125.00
Descripción El NTE3046 es un optoacoplador TRIAC de salida de fototiroistor de 1 canal que consiste en una foto SCR acoplada a un diodo infrarrojo de arseniuro de galio. Este optoacoplador tiene una tensión de aislamiento de 3550V, disipación de potencia de 250mW y corriente de ánodo de CC de...
$ 90.00
$ 250.00
Descripción Semiconductor NTE3094 consta de un par de puertas inversas acopladas ópticamente, cada una con un diodo emisor de GaAsP y un detector integrado único. Los fotones son recogidos en el detector por un fotodiodo y luego amplificados por un amplificador lineal de alta ganancia que acciona un transistor de...
$ 245.00
$ 279.00
Descripción El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la...
$ 116.00
$ 150.00
Descripción Semiconductor NTE322 es un transistor diseñado para su uso en aplicaciones de salida de potencia RF. El NTE322 es un transistor de potencia NPN RF de silicio en un paquete tipo TO202N diseñado para su uso en Citi-zen - Band y otros equipos de comunicaciones de alta frecuencia que operan...
$ 198.00
Descripción Semiconductor NTE328 es un transistor diseñado para su uso como amplificador de potencia, switch. El NTE328 es un transistor NPN de silicio en un paquete tipo TO3 diseñado para su uso en aplicaciones de circuitos de conmutación y amplificadores de potencia industriales. Alto voltaje de mantenimiento de colector-emisor...
$ 130.00
Descripción El NTE384 es un transistor de potencia NPN de silicio epitaxial múltiple en un paquete de tipo TO66 que utiliza una estructura de sitio de múltiples emisores. La construcción epitaxial múltiple maximiza la característica de voltios-amperios del dispositivo y proporciona velocidades de conmutación rápidas. El diseño de emisores múltiples...
$ 95.00
$ 187.00
Descripción El NTE456 es un transistor de efecto de campo de silicio de unión de canal N en un paquete tipo TO72 diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificador de propósito general. Aplicaciones: Amplificador de propósito general Información Básica Polaridad del transistor: Canal N Voltaje de drenaje a fuente...
$ 150.00
$ 210.00
Descripción Semiconductor NTE459 es un transistor diseñado para su uso como amplificador y switch AF. Aplicaciones: Amplificador AF, Choppe y conmutación Información Básica Polaridad del transistor: Canal N Voltaje de drenaje a fuente VDS: 50 V Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 50 V Voltaje de compuerta a fuente VGS:...
$ 95.00
$ 177.00
Descripción Semiconductor NTE466 es un transistor diseñado para su uso como amplificador y switch AF. Aplicaciones: Amplificador AF, Choppe y conmutación Información Básica Polaridad del transistor: Canal N Voltaje de drenaje a fuente VDS: 40 V Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 40 V Voltaje de compuerta a fuente VGS:...
$ 12.00
Descripción El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados...
$ 45.00
Descripción El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados...
$ 59.00
Descripción Semiconductor NTE4928 de la serie NTE4900 de supresores de transitorios de silicio diseñados para proteger los componentes sensibles al voltaje de los transitorios de voltaje de alta energía. Los dispositivos supresores de sobre voltaje transitorio se han vuelto muy importantes como consecuencia de su alta capacidad de sobretensión, su...
$ 45.00
$ 135.00
Descripción Semiconductor NTE4934. La serie NTE4900 de supresores de transitorios de silicio diseñados para proteger los componentes sensibles al voltaje de los transitorios de voltaje de alta energía. Los dispositivos supresores de sobrevoltaje transitorio se han vuelto muy importantes como consecuencia de su alta capacidad de sobretensión, su tiempo de...
$ 50.00
Descripción El NTE4937 es un supresor de transitorios de silicio diseñados para proteger los componentes sensibles al voltaje de los transitorios de voltaje de alta potencia de energía. Los dispositivos supresores de sobretensión transitorios se han vuelto muy importantes como consecuencia de su alta capacidad de sobretensión, tiempo de respuesta extremadamente rápido...