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Transistor J112G JFET Pequeña Señal CH-N 35 V 50 mA
Transistor J112G JFET Pequeña Señal CH-N 35 V 50 mASKU: TRAJ112G

$ 38.00

Descripción Transistor FET J112G diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación analógica de bajo nivel, circuitos de muestreo y retención y amplificadores estabilizados con chopper. Conmutación de alta velocidad La fuente y el drenaje son intercambiables Voltaje de ruptura de puerta a fuente de 35 V Tensión de corte...

Transistor J112 JFET Pequeña Señal CH-N 35 V 50 mA 350 mW
Transistor J112 JFET Pequeña Señal CH-N 35 V 50 mA 350 mWSKU: TRAJ112

$ 19.00

Descripción Transistor J-FET J112 de pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación analógica de bajo nivel, circuitos de muestreo y retención y amplificadores estabilizados con chopper. Conmutación de alta velocidad Intercambiabilidad de conexiones de drenaje y fuente Bajo RDS activado a voltaje de compuerta ON Aplicaciones: Administración...

Transistor J108A JFET Pequeña Señal CH-N 25 V 30 mA 350 mW
Transistor J108A JFET Pequeña Señal CH-N 25 V 30 mA 350 mWSKU: TRAJ108A

$ 60.00 $ 75.00

Descripción Transistor JFET J108A pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación analógicas o digitales en las que es obligatoria una resistencia muy baja.   Conmutación de alta velocidad Intercambiabilidad de conexiones de drenaje y fuente Bajo RDSon a voltaje de compuerta cero (<8Ω para J108) Aplicaciones: Interruptores...

Transistor IXTP56N15T Mosfet TO220 CH-N 150 V 56 A
Transistor IXTP56N15T Mosfet TO220 CH-N 150 V 56 ASKU: TRAIXTP56N15T

$ 69.00

Descripción Transistor mosfet IXTP56N15T Tipo T, de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores...

Transistor IXGH30N60B Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 60 A
Transistor IXGH30N60B Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 60 ASKU: TRAIXGH30N60B

$ 95.00

Descripción El transistor bipolar IXGH30N60B  de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor IRLZ34PBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 30 A
Transistor IRLZ34PBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 30 ASKU: TRAIRLZ34N

$ 99.00

Descripción El IRLZ34PBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de canal N con resistencia extremadamente baja  a la conexión por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado por el que los MOSFET de...

Transistor IRLU024NPBF Mosfet Pequeña Señal CH-N 55 V 17 A
Transistor IRLU024NPBF Mosfet Pequeña Señal CH-N 55 V 17 ASKU: TRAIRLU024NP

$ 76.00 $ 84.00

Descripción El transistor  IRLU024NPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor IRLR024NPBF Mosfet Pequeña Señal CH-N 55 V 17 A
Transistor IRLR024NPBF Mosfet Pequeña Señal CH-N 55 V 17 ASKU: TRAIRLR024NPBF

$ 39.00 $ 43.00

Descripción El transistor IRLR024NPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor IRGP4086 Mosfet IGBT Potencia CH-N 1.9 V 70 A
Transistor IRGP4086 Mosfet IGBT Potencia CH-N 1.9 V 70 ASKU: TRAIRGP4086

$ 129.00

Descripción El transistor bipolar IRGP4086 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor IRFBG30PBF Mosfet TO220 CH-N 1000 V 3.1 A
Transistor IRFBG30PBF Mosfet TO220 CH-N 1000 V 3.1 ASKU: TRAIRFBG30

$ 96.00

Descripción El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Clasificación dinámica de dV/dt Calificación de avalancha repetitiva Cambio...

Transistor IRGB10B60KD Mosfet IGBT TO220 600 V 22 A
Transistor IRGB10B60KD Mosfet IGBT TO220 600 V 22 ASKU: TRAIRGB10B60KD

$ 46.00

Descripción El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto...

Transistor IRG4PC50UPBF Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 27 A
Transistor IRG4PC50UPBF Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 27 ASKU: TRAIRG4PC50

$ 136.00

Descripción El IRG4PC50UPBF es un IGBT de 600 V ultrarápido entre 8 y 60 kHz. Proceso de conmutación duro optimizado para alta frecuencia de operación. El diseño IGBT de generación 4 proporciona una distribución de parámetros más estricta y una mayor eficiencia que la generación 3. Diodos HEXFRED optimizados para...

Transistor IRG4PC40U Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 20 A
Transistor IRG4PC40U Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 20 ASKU: TRAIRG4PC40U

$ 95.00

Descripción El IRG4PC40U es un IGBT de 600V  ultrarápido de 8 a 60 kHz con diodo de recuperación de software, proceso de conmutación dura optimizado para alta frecuencia de funcionamiento. Generación 4 diseño de IGBT ofrece más estricto parámetro de distribución y una mayor eficiencia de la generación 3. HEXFRED...

Transistor IRG4BC30KDPBF Mosfet IGBT TO220 600 V 16 A
Transistor IRG4BC30KDPBF Mosfet IGBT TO220 600 V 16 ASKU: TRAIRG4BC30FDPBF

$ 73.00

Descripción El transistor IRG4BC30KDPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor IRFZ48NPBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 64 A
Transistor IRFZ48NPBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 64 ASKU: TRAIRFZ48N

$ 53.00

Descripción El transistor IRFZ48NPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFZ48N es un transistor MOSFET de N-canal...

Transistor IRFZ46NPBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 53 A
Transistor IRFZ46NPBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 53 ASKU: TRAIRFZ46

$ 48.00

Descripción El transistor IRFZ46 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFZ46 es un transistor MOSFET de N-canal...

Transistor IRFZ44N Mosfet TO220 CH-N 55 V 49 A
Transistor IRFZ44N Mosfet TO220 CH-N 55 V 49 ASKU: TRAIRFZ44N

$ 15.00

Descripción El IRFZ44N es un transistor mosfet  de potencia, de canal N, hexfet con muy baja resistencia por unidad de superficie  y con un  rendimiento de conmutación rápida, este beneficio, en combinación con la velocidad de conmutación rápida y el diseño del dispositivo robusto que hexfet Los mosfet de potencia...

Transistor IRFZ42 Mosfet TO200 CH-N 50 V 35 A
Transistor IRFZ42 Mosfet TO200 CH-N 50 V 35 ASKU: TRAIRFZ42

$ 38.00

Descripción Transistor mosfet IRFZ42 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor IRFZ40PBF Mosfet TO220 CH-N 50 V 51 A
Transistor IRFZ40PBF Mosfet TO220 CH-N 50 V 51 ASKU: TRAIRFZ40

$ 105.00

Descripción El transistor  IRFZ40PBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFZ40PBF es un MOSFET de potencia de...

Transistor IRFZ34N Mosfet TO220 CH-N 55 V 26 A
Transistor IRFZ34N Mosfet TO220 CH-N 55 V 26 ASKU: TRAIRFZ34N

$ 34.00

Descripción El transistor  IRFZ24N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFZ34N es un transistor MOSFET de N-canal...