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Descripción Semiconductor NTE123 es un transistor diseñado para su uso como switch amplificador de audio de propósito general. Aplicaciones: Amplificador de propósito general Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 75 V Voltaje colector emisor VCEO: 40 V Voltaje emisor base VEBO: 6 V Corriente de...
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Descripción Semiconductor NTE1208, circuito integrado CMOS compuesto por un comparador de fase digital y un amplificador. La salida de tres estados conectada al filtro de paso bajo (usando un amplificador interno) producirá voltaje de CC para controlar un VCO. Los pulsos de estado bajo aparecen en fase eliminada siempre que...
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Descripción Semiconductor NTE112 es un diodo schottky de pequeña señal para su uso con mezcladores UHF y aplicaciones de conmutación ultrarrápida. Resistencia térmica de unión al ambiente 400°C/W Temperatura máxima de terminación de +230°C Aplicaciones: Comunicaciones RF, administración de potencia Información Básica Tipo de diodo: Schottky Configuración del diodo: Ünico...
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Descripción Semiconductor NTE106 es un transistor diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación. Aplicaciones: Administración de potencia. Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -15 V Voltaje colector emisor VCEO: -15 V Voltaje emisor base VEBO: -4.5 V Corriente de colector IC: 200 mA Disipación de...
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Descripción Semiconductor NTE102 es un transistor PNP manejador con salida de potencia. El NTE102 es un transistor PNP de germanio complementario,diseñado para aplicaciones de conmutación de velocidad media saturados. Voltaje de saturación colector-emisor bajo Alto voltaje de ruptura del emisor-base Aplicaciones: Salida de potencia Información Básica Polaridad del transistor: PNP...
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Descripción Circuito Integrado NTE1019 diseñado para su uso como módulo, híbrido, amplificador ecualizador de bajo ruido. Aplicaciones: Audio Información Básica Suministro de voltaje máximo: 30 V Disipación de potencia: 300 mW Temperatura de operación mínima: -20°C Temperatura de operación máxima: 100°C Encapsulado SIP 9 pines Sustituto NTE1019 Documentación Datasheet
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Descripción Semiconductor NTE100 es un transistor oscilador complementario, switch de mediana velocidad. El NTE100 es un transistor de germanio PNP de -24 V complementario utilizado como oscilador o un mezclador para la radio AM y el interruptor de velocidad media. Aplicaciones: Audio Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base...
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Descripción Los dispositivos semiconductores, sean diodos, transistores o tiristores, cuando trabajan en los circuitos convertidores de energía, sufren condiciones extremas que pueden perjudicar su funcionamiento normal, incluso pueden llegar a su destrucción. Estas condiciones extremas pueden aparecer en condiciones normales o nominales de funcionamiento, tanto en corriente como en tensión....
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Descripción Diodo P6KE200A TVS unidireccioal diseñado para proteger los componentes sensibles de altos voltaje. El diodo también tiene una excelente capacidad de sujeción, alta capacidad de alto voltaje, baja impedancia zener y tiempo de respuesta rápida. Está perfectamente adaptado para su uso en sistemas de comunicación, controles numéricos, controles de proceso, equipos...
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Descripción El MUR840G es un rectificador de potencia SWITCHMODE ™ con caja epoxi moldeada. Está diseñado para usarse en fuentes de alimentación conmutadas, inversores y diodos de rueda libre. Un diodo ultra rápido está diseñado para poder rectificar a gran velocidad pulsos de alta frecuencia como en las fuentes conmutadas...
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