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Descripción Transistor 2SA1266Y de pequeña señal para aplicaciones amplificador de baja frecuencia y bajo ruido. Amplificador de baja frecuencia Amplificador de bajo ruido Excelente linealidad hFE Complemento 2SC3198 Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -50 V Voltaje colector emisor VCEO: -50 V Voltaje emisor base VEBO: -5...
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Descripción Transistor 2SA1213 pequeña señal para aplicaciones de amplificación y conmutación. Baja tensión de saturación 2SC2873 Aplicaciones: Cambio de potencia, amplificador de potencia Especificaciones Polaridad: PNP Voltaje colector base VCBO : -50 V Voltaje colector emisor VCEO: -50 V Voltaje emisor base VEBO: - 5 V Corriente de colector Ic:...
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Descripción Transistor 2SA1175 pequeña señal que es usado para las etapa del controlador del amplificador AF. Alto hFE Excelente Complemento 2SC2785 Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO : -60 V Voltaje colector emisor VCEO: -50 V Voltaje emisor base VEBO: - 5 V Corriente de...
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Descripción Transistor 2SA1123 pequeña señal, para amplificación de tensión de ruptura de alta frecuencia baja. Complementario a 2SC263. Satisfactoria relación de transferencia de corriente hacia adelante hFE Alto voltaje del colector al emisor VCEO Pequeña capacitancia de salida del colector Cob Forma un par complementario con 2SC2631 Aplicaciones: Para la...
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Descripción Transistor 2SA1104 potencia diseñado para amplificador de potencia AF y aplicaciones de conmutación de alta corriente. Aplicaciones: Audio y propósito general Información Básica Polaridad: PNP Voltaje colector base VCBO: -120 V Voltaje de colector emisor VCEO: -120 V Voltaje emisor base VEBO: -6 V Corriente colector Ic: - 8...
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Descripción Transistor 2SA1102 potencia diseñado para amplificador de potencia AF y aplicaciones de conmutación de alta corriente. Complemento al tipo 2SC2577 Alta capacidad de corriente Alta disipación de potencia Aplicaciones: Amplificador de potencia de audio, convertidores CC-CC Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -80V Voltaje colector...
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Descripción Transistor 2SA1094 potencia. Información Básica Polaridad: PNP Voltaje: 140 V Corriente: 12 A Encapsulado: TB-35 3 pìnes Sustituto NTEOBS-NLA Documentación Datasheet
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Descripción Transistor 2SA1048 pequeña señal para aplicaciones de amplificación de baja frecuencia y frecuencia de audio de bajo ruido. Alto voltaje Alto hFE Excelente linealidad hFE Bajo ruido Complemento 2SC2458 Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -50 V Voltaje colector emisor VCEO: -50V Voltaje emisor base...
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Descripción Transistor 2SA1036 pequeña señal diseñado para aplicaciones de propósito general y recomendado para aplicaciones de bajo voltaje. Aplicaciones: Propósito general Información Básica Polaridad: PNP Voltaje colector a base VCBO: -40 V Voltaje colector a emisor VCEO: -32 V Voltaje emisor a base VEBO: -5 V Corriente continua Ic: -500...
$ 7.00
Descripción Transistor 2SA1020 pequeña señal diseñado para su uso en amplificadores de potencia media de uso general y circuitos de conmutación que requieren corrientes de colector a 1A. Alto voltaje de ruptura de colector-emisor: VCEO = 80 V Capacidad excepcional de disipación de energía Información Básica Polaridad del transistor: PNP...
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Descripción Transistor 2SA1015 de pequeña señal usado frecuentemente en electrónica debido a su bajo nivel de ruido y excelente linealidad y es diseñado para aplicaciones de amplificador de frecuencia de audio y aplicaciones de bajo nivel de ruido. Complemento del 2SC1815 Alto voltaje y alta corriente Bajo ruido Excelente linealidad hFE...
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Descripción Transistor 2SA1013 pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de televisión de color y para la salida de deflexión vertical. Complemento del 2SC2383 Alto voltaje Gran capacidad de corriente de colector continuo Aplicaciones: TV operada en línea, salida de desviación vertical y salida de sonido Información Básica Tipo:...
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Descripción El 2N7000 es un transistor de efecto de campo de modo mejorado con canal N, fabricado con la tecnología DMOS de alta densidad de celdas de Fairchild. Estos productos minimizan la resistencia en estado encendido al tiempo que brindan un rendimiento robusto, confiable y de conmutación rápida. Se pueden...
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Descripción El 2N6388 es un transistor de potencia de plástico NPN con Darlington diseñado para aplicaciones de amplificación de uso general y de conmutación de baja frecuencia. Cuenta con una construcción monolítica con resistencias de derivación base-emisor incorporadas. Voltaje de mantenimiento de colector-emisor VCEO (sus) = 80 V (mínimo) Voltaje...
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Descripción El transistor 2N6287G ,PNP, bipolar, complementario, darlington de poder, diseñado para amplificador de uso general y aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. El transistor tiene una construcción monolítica con una resistencia de derivación base-emisor incorporada. Alta ganancia de corriente continua Colector-emisor que sostiene el voltaje (Vce (sus) = 100VDC...
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Descripción Transistor 2N6287 de potencia, PNP, bipolar complementario, darlington de poder, diseñado para amplificador de uso general y aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. El transistor tiene una construcción monolítica con una resistencia de derivación base-emisor incorporada. Alta ganancia de corriente continua Colector-emisor que sostiene el voltaje (Vce (sus) =...