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Catálogo de Productos

Transistor IRFS23N15D Mosfet Pequeña Señal CH-N 150 V 23 A
Transistor IRFS23N15D Mosfet Pequeña Señal CH-N 150 V 23 ASKU: TRAIRFS23N15D

$ 51.00

Descripción El transistor IRFS23N15D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Baja carga de compuerta a drenaje para reducir...

Transistor IRFS614B Mosfet TO220 CH-P 250 V 2.8 A
Transistor IRFS614B Mosfet TO220 CH-P 250 V 2.8 ASKU: TRAIRFS614B

$ 25.00

Descripción El transistor IRFS614B  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. 2.8A, 250V, RDS (encendido) = 2.0Ω @VGS =...

Transistor IRFS640 Mosfet TO220 CH-N 200 V 18 A
Transistor IRFS640 Mosfet TO220 CH-N 200 V 18 ASKU: TRAIRFS640A

$ 24.00 $ 35.00

Descripción El transistor IRFS640 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFS640 es un dispositivo  adecuado para convertidores...

Transistor IRFU9024N Mosfet Pequeña Señal CH-P 55 V 11 A
Transistor IRFU9024N Mosfet Pequeña Señal CH-P 55 V 11 ASKU: TRAIRFU9024

$ 26.00 $ 30.00

Descripción El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFU9024 es un MOSFET de potencia de tercer...

Transistor IRFZ14 Mosfet TO220 CH-N 60 V 10 A
Transistor IRFZ14 Mosfet TO220 CH-N 60 V 10 ASKU: TRAIRFZ14

$ 41.00

Descripción El transistor IRFZ14 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFZ14PBF es un modo de mejora de...

Transistor IRFZ20 Mosfet TO220 CH-N 50 V 15 A
Transistor IRFZ20 Mosfet TO220 CH-N 50 V 15 ASKU: TRAIRFZ20

$ 43.00

Descripción El transistor IRFZ20 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFZ20PBF es un MOSFET de potencia de...

Transistor IRFZ22 Mosfet TO220 CH-N 50 V 14 A
Transistor IRFZ22 Mosfet TO220 CH-N 50 V 14 ASKU: TRAIRFZ22

$ 20.00

Descripción El transistor  IRFZ22 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFZ22  es un MOSFET de potencia de...

Transistor IRFZ24NPBF Mosfet TO220 CH-N 60 V 17 A
Transistor IRFZ24NPBF Mosfet TO220 CH-N 60 V 17 ASKU: TRAIRFZ24N

$ 20.00

Descripción El transistor  IRFZ24NPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Tecnología de proceso avanzada Conmutación rápida Avalancha total...

Transistor IRFZ34N Mosfet TO220 CH-N 55 V 26 A
Transistor IRFZ34N Mosfet TO220 CH-N 55 V 26 ASKU: TRAIRFZ34N

$ 29.00

Descripción El transistor  IRFZ24N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFZ34N es un transistor MOSFET de N-canal...

Transistor IRFZ40PBF Mosfet TO220 CH-N 50 V 51 A
Transistor IRFZ40PBF Mosfet TO220 CH-N 50 V 51 ASKU: TRAIRFZ40

$ 88.00

Descripción El transistor  IRFZ40PBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFZ40PBF es un MOSFET de potencia de...

Transistor IRFZ42 Mosfet TO200 CH-N 50 V 35 A
Transistor IRFZ42 Mosfet TO200 CH-N 50 V 35 ASKU: TRAIRFZ42

$ 30.00

Descripción Transistor mosfet IRFZ42 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor IRFZ44N Mosfet TO220 CH-N 55 V 49 A
Transistor IRFZ44N Mosfet TO220 CH-N 55 V 49 ASKU: TRAIRFZ44N

$ 19.00

Descripción El IRFZ44N es un transistor mosfet  de potencia, de canal N, hexfet con muy baja resistencia por unidad de superficie  y con un  rendimiento de conmutación rápida, este beneficio, en combinación con la velocidad de conmutación rápida y el diseño del dispositivo robusto que hexfet Los mosfet de potencia...

Transistor IRFZ44NPBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 49 A
Transistor IRFZ44NPBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 49 ASKU: TRAIRFZ44NPBF

$ 36.00

Descripción El IRFZ44NPBF es un transistor mosfet de potencia, de canal N, hexfet con muy baja resistencia por unidad de superficie y con un rendimiento de conmutación rápida, este beneficio, en combinación con la velocidad de conmutación rápida y el diseño del dispositivo robusto que hexfet Los mosfet de potencia...

Transistor IRFZ46NPBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 53 A
Transistor IRFZ46NPBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 53 ASKU: TRAIRFZ46

$ 34.00

Descripción El transistor IRFZ46 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFZ46 es un transistor MOSFET de N-canal...

Transistor IRFZ48NPBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 64 A
Transistor IRFZ48NPBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 64 ASKU: TRAIRFZ48N

$ 34.00

Descripción El transistor IRFZ48NPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFZ48N es un transistor MOSFET de N-canal...

Transistor IRG4BC30KDPBF Mosfet IGBT TO220 600 V 16 A
Transistor IRG4BC30KDPBF Mosfet IGBT TO220 600 V 16 ASKU: TRAIRG4BC30FDPBF

$ 120.00

Descripción El transistor IRG4BC30KDPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor IRG4BC40KFPBF Mosfet IGBT TO220 CH-N 600 V 42A
Transistor IRG4BC40KFPBF Mosfet IGBT TO220 CH-N 600 V 42ASKU: TRAIRG4BC40KFPBF

$ 120.00 $ 135.00

Descripción El transistor IRG4BC40KFPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor IRG4PC40U Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 20 A
Transistor IRG4PC40U Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 20 ASKU: TRAIRG4PC40U

$ 78.00

Descripción El IRG4PC40U es un IGBT de 600V  ultrarápido de 8 a 60 kHz con diodo de recuperación de software, proceso de conmutación dura optimizado para alta frecuencia de funcionamiento. Generación 4 diseño de IGBT ofrece más estricto parámetro de distribución y una mayor eficiencia de la generación 3. HEXFRED...

Transistor IRG4PC50UPBF Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 27 A
Transistor IRG4PC50UPBF Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 27 ASKU: TRAIRG4PC50

$ 93.00

Descripción El IRG4PC50UPBF es un IGBT de 600 V ultrarápido entre 8 y 60 kHz. Proceso de conmutación duro optimizado para alta frecuencia de operación. El diseño IGBT de generación 4 proporciona una distribución de parámetros más estricta y una mayor eficiencia que la generación 3. Diodos HEXFRED optimizados para...

Transistor IRG7R313U Mosfet IGBT Pequeña SeñaI CH-N 330 V 40 A
Transistor IRG7R313U Mosfet IGBT Pequeña SeñaI CH-N 330 V 40 ASKU: TRAIRG7R313U

$ 39.00

Descripción Transistor IRG7R313U  IGBT diseñado específicamente para aplicaciones en paneles de pantalla de plasma. Este dispositivo utiliza tecnología IGBT de trinchera avanzada para lograr un VCE bajo (encendido) y una clasificación EPULSETM baja por área de silicio, lo que mejora la eficiencia del panel. Las características adicionales son una temperatura...