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Transistor TK6P60W Mosfet Pequeña Señal CH-N 600 V 6.2 A

Transistor TK6P60W Mosfet Pequeña Señal CH N 600 V 6.2 A

TRATK6P60W

$ 80.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor TK6P60W de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • Resistencia baja de ON-fuente de drenaje: RDS (ENCENDIDO) =0.68Ω (típico) por utilizado para Super Junction Structure: DTMOS
  • Fácil de controlar Cambio de puerta
  • Modo de mejora: Vth = 2.5 a 3.5 V (VDS  = 10 V, Ire = 0.31 mA
  • Aplicaciones: Conmutación

Información Básica

  • Polaridad de transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 6.2 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 24.8 A
  • Corriente de avalancha IAR: 3.1 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 60 W
  • Resistencia de encendido RDS(on) typ: 0.064Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: DPACK
  • Número de pines: 3

    Sustituto

    TK7P60W

    Documentación 

    Datasheet

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