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Transistor TIP120 TO220

Transistor TIP120 TO220

TRATIP120

$ 9.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El TIP120 es un transistor con darlington diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de uso general y de conmutación de baja velocidad.

 

El TIP120 NPN esta fabricado de silicio de base epitaxial, en un encapsulado plástico de tipo TO-220, internamente consta de dos transistores conectados mediante la configuración darlington con lo que se logra una mayor capacidad de amplificación, de alta ganancia y bajo voltaje de saturación. Además este tipo de transistores darlington, cuentan con un diodo incorporado y un par de resistencias con fines de protección. 

 

El TIP120 NPN esta compuesto de transistores bipolares que están conectados en tándem para proporcionar una ganancia de muy alta corriente a partir de una corriente de base baja. En un transistor Darlington, el emisor del transistor de entrada está conectado a la base del transistor de salida y sus colectores están unidos. Por lo tanto, la corriente que es amplificada por los transistores de entrada se amplifica aún más por los transistores de salida.

 

El TIP120 básicamente, tiene una entrada llamada colector, una salida llamada Emisor y un control denominado Base. Cuando se aplica una señal de ALTO a la base (B, pin de control), el transistor cambia y permite que la corriente fluya desde el colector (C) para el emisor (E). De esta manera el transistor TIP120 sirve como interruptor electrónico.

 

Los transistores TIP120 están diseñados para aplicaciones como amplificadores de uso general, aplicaciones de conmutación de baja velocidad, etapas de salida de amplificadores de audio, controladores de solenoides, controladores de motores, etc.
  • Alta ganancia de corriente continua
  • Construcción monolítica con resistencia de derivación base-emisor incorporada
  • Con darlington
  • Complemento del TIP125, TIP126, TIP127
  • Se recomienda protegerlo con un disipador de calor
  • Aplicaciones: Audio, industrial

Información Básica

  • Polaridad del transistor: NPN
  • Voltaje colector base VCBO: 60 V
  • Voltaje colector emisor VCEO: 60 V
  • Voltaje emisor base VEBO: 5 V
  • Corriente de colector DC Ic: 5 A
  • Disipación de potencia Pc (Tc=25°C) : 65 W
  • Ganancia de corriente DC hFE: 1000 hFE
  • Norma de cualificación automotriz: AEC-Q100
  • Temperatura de operación mínima: -65 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3
  • Modelo: BB4 +

Sustituto

NTE261  2SD560  2SD1765  TIP112  2SD1765  TIP121 TIP122 TIP132

Documentación

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